[发明专利]IGBT以及IGBT的制造方法有效
| 申请号： | 201280069700.5 | 申请日： | 2012-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN104115274B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 加藤武宽;大西徹 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人： | 黄威;苏萌萌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 以及 制造 方法 | ||
1.一种绝缘栅双极性晶体管，具有：
n型的发射区；
p型的顶部体区，其被形成在发射区的下侧；
n型的中间区，其被形成在顶部体区的下侧；
p型的底部体区，其被形成在中间区的下侧；
n型的漂移区，其被形成在底部体区的下侧；
p型的集电区，其与漂移区相接；
多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；
栅电极，其被形成在沟槽内，并隔着绝缘膜而与发射区和漂移区之间的顶部体区、中间区以及底部体区对置，
存在于两个栅电极之间的中间区的下端的深度的偏差在110nm以下。
2.一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法，所述绝缘栅双极性晶体管具有：
n型的发射区；
p型的顶部体区，其被形成在发射区的下侧；
n型的中间区，其被形成在顶部体区的下侧；
p型的底部体区，其被形成在中间区的下侧；
n型的漂移区，其被形成在底部体区的下侧；
p型的集电区，其与漂移区相接；
多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；
栅电极，其被形成在沟槽内，并隔着绝缘膜而与发射区和漂移区之间的顶部体区、中间区以及底部体区对置，
所述绝缘栅双极性晶体管的制造方法包括：
在半导体基板的上表面上形成沟槽的工序；
在沟槽内形成绝缘膜的工序；
在形成绝缘膜之后，在半导体基板上及沟槽内形成电极层的工序；
使电极层的上表面平坦化的工序；
在使电极层的上表面平坦化之后，从半导体基板的上表面侧将n型杂质注入至中间区的深度的工序。
3.一种绝缘栅双极性晶体管的制造方法，所述绝缘栅双极性晶体管具有：
n型的发射区；
p型的顶部体区，其被形成在发射区的下侧；
n型的中间区，其被形成在顶部体区的下侧；
p型的底部体区，其被形成在中间区的下侧；
n型的漂移区，其被形成在底部体区的下侧；
p型的集电区，其与漂移区相接；
多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；
栅电极，其被形成在沟槽内，并隔着绝缘膜而与发射区和漂移区之间的顶部体区、中间区以及底部体区对置，
所述绝缘栅双极性晶体管的制造方法包括：
在半导体基板的上表面上形成沟槽的工序；
在沟槽内形成绝缘膜的工序；
在形成绝缘膜之后，在沟槽内，以栅电极的上表面位于与沟槽的上端相比靠下侧的位置处的方式形成栅电极的工序；
在栅电极上形成掩膜部件的工序，或以在栅电极上厚于其他区域的方式在半导体基板上形成掩膜部件的工序；
在形成掩膜部件之后，从半导体基板的上表面侧将n型杂质注入至中间区的深度的工序。
4.一种绝缘栅双极性晶体管，具有：
n型的发射区；
p型的体区，其被形成在发射区的下侧；
n型的中间区，其被形成在体区的下侧；
n型的漂移区，其被形成在中间区的下侧，并且n型杂质的浓度低于中间区，且n型杂质浓度为大致固定；
p型的集电区，其被形成在漂移区的下侧；
多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、体区以及中间区并到达漂移区；
栅电极，其被形成在沟槽内，并隔着绝缘膜而与发射区和中间区之间的体区对置，
存在于两个栅电极之间的中间区的下端的深度的偏差在110nm以下。
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