[发明专利]半导体纳米晶体、其制备方法、组合物、以及产品有效
| 申请号： | 201280072253.9 | 申请日： | 2012-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN104205368B | 公开（公告）日： | 2018-08-07 |
| 发明（设计）人： | 刘文浩;克雷格·布林;塞思·科埃-沙利文 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/16 | 分类号： | H01L33/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 晶体 制备 方法 组合 以及 产品 | ||
1.一种半导体纳米晶体，其特征在于，在90℃或更高的温度下的固态光致发光外部量子效率是所述半导体纳米晶体在25℃下的固态光致发光外部量子效率的至少95％，
其中所述纳米晶体包括包含第一半导体材料的核以及围绕所述核的至少第一壳，
其中所述第一壳包含第二半导体材料，和所述第一壳包括硫化锌，其中所述纳米晶体进一步包括围绕其外表面的第二壳且所述第二壳包含第三半导体材料，和其中所述第二壳具有比所述第一壳的带隙小的带隙。
2.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体，其中，所述90℃或更高的温度为100℃或更高。
3.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体，其中，所述90℃或更高的温度在90℃至200℃的范围内。
4.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体，其中，所述90℃或更高的温度在90℃至140℃的范围内。
5.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体，其中，所述90℃或更高的温度在90℃至120℃的范围内。
6.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体，其中，所述90℃或更高的温度在90℃至100℃的范围内。
7.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体，其中，所述半导体纳米晶体是未掺杂的。
8.根据权利要求1所述的半导体纳米晶体，其中，在90℃或更高的温度下的所述固态光致发光效率是在25℃下的所述固态光致发光效率的95至100％。
9.一种半导体纳米晶体，其特征在于，在90℃或更高的温度下的辐射寿命是在25℃下的辐射寿命的至少80％，
其中所述纳米晶体包括包含第一半导体材料的核以及围绕所述核的至少第一壳，
其中所述第一壳包含第二半导体材料，和所述第一壳包括硫化锌，其中所述纳米晶体进一步包括围绕其外表面的第二壳且所述第二壳包含第三半导体材料，和其中所述第二壳具有比所述第一壳的带隙小的带隙。
10.根据权利要求9所述的半导体纳米晶体，其中，所述90℃或更高的温度为100℃或更高。
11.根据权利要求9所述的半导体纳米晶体，其中，所述90℃或更高的温度在90℃至200℃的范围内。
12.根据权利要求9所述的半导体纳米晶体，其中，所述90℃或更高的温度在90℃至140℃的范围内。
13.根据权利要求9所述的半导体纳米晶体，其中，所述90℃或更高的温度在90℃至120℃的范围内。
14.根据权利要求9所述的半导体纳米晶体，其中，所述90℃或更高的温度在90℃至100℃的范围内。
15.根据权利要求9所述的半导体纳米晶体，其中，在90℃或更高的温度下的所述辐射寿命是在25℃下的所述辐射寿命的至少90％。
16.根据权利要求9所述的半导体纳米晶体，其中，在90℃或更高的温度下的所述辐射寿命是在25℃下的所述辐射寿命的至少95％。
17.根据权利要求9所述的半导体纳米晶体，其中，在90℃或更高的温度下的所述辐射寿命是在25℃下的固态光致发光效率的95至100％。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201280072253.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：聚合物换能器以及用于换能器的连接器
- 下一篇：液冷机柜
