[发明专利]热敏光耦合器无效
申请号: | 201310020417.X | 申请日: | 2013-01-18 |
公开(公告)号: | CN103217754A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 王志孟;梁易隆;其他发明人请求不公开姓名 | 申请(专利权)人: | 安华高科技通用IP(新加坡)公司 |
主分类号: | G02B6/42 | 分类号: | G02B6/42 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 刘国伟 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 热敏 耦合器 | ||
1.一种热敏光耦合器封装,其包括:
包括热敏材料的层,所述层具有上表面和下表面;
至少一个发光二极管LED,其经配置以发出与输入信号的至少一个预定特性成比例的红外或近红外光,以及
至少一个光电检测器,其经配置以由此提供经隔离的输出信号;
其中所述LED位于所述层的所述上表面上方,所述光电检测器位于所述层的所述下表面之下,所述热敏材料经配置以使得由所述LED发出的、入射于所述材料上的,且透射过所述材料和所述层的光的量根据周围温度或局部热条件的改变而改变,且透射过所述层的所述光的至少部分入射于所述光电检测器上以由此提供所述经隔离的输出信号。
2.根据权利要求1所述的热敏光耦合器封装,其中透射过所述层的光的所述量随着所述周围温度增加而增加。
3.根据权利要求2所述的热敏光耦合器封装,其中由所述光耦合器封装产生的经温度调制的反馈控制输出信号用来调节并控制所述LED的输出。
4.根据权利要求1所述的热敏光耦合器封装,其中透射过所述层的光的所述量随着所述周围温度增加而减小。
5.根据权利要求4所述的热敏光耦合器封装,其中由所述光耦合器封装产生的经温度调制的反馈控制输出信号用来调节并控制所述LED的所述输出。
6.根据权利要求1所述的热敏光耦合器封装,其中所述热敏材料是至少部分聚合的。
7.根据权利要求6所述的热敏光耦合器封装,其中所述热敏材料进一步包括至少一个膜。
8.根据权利要求7所述的热敏光耦合器封装,其中所述至少部分聚合的膜是多层光学膜。
9.根据权利要求8所述的热敏光耦合器封装,其中所述多层光学膜是选择性波长镜多层光学膜。
10.根据权利要求9所述的热敏光耦合器封装,其中所述膜包括在约100个与约1,000个之间的层。
11.根据权利要求10所述的热敏光耦合器封装,其中所述层中的每一者的厚度在约10纳米与约200纳米之间。
12.根据权利要求1所述的热敏光耦合器封装,其中所述热敏材料是至少部分热致变色的。
13.根据权利要求12所述的热敏光耦合器封装,其中所述材料进一步包括二氧化钒。
14.根据权利要求12所述的热敏光耦合器封装,其中所述材料进一步包括钛。
15.根据权利要求12所述的热敏光耦合器封装,其中所述热致变色材料含于安置于所述层上的涂层中。
16.根据权利要求15所述的热敏光耦合器封装,其中所述层进一步包括上面涂布了所述热致变色材料的电介质材料。
17.根据权利要求1所述的热敏光耦合器封装,其中所述热敏材料是至少部分电致变色的。
18.根据权利要求1所述的热敏光耦合器封装,其中所述至少一个预定特性包含输入信号振幅、相位和频率中的至少一者。
19.根据权利要求1所述的热敏光耦合器封装,其中所述光电检测器是光电二极管、双极检测器晶体管以及达林顿检测器晶体管中的一者。
20.根据权利要求1所述的热敏光耦合器封装,其中所述LED是AlGaAs LED、ACEAlGaAs LED、DPUP AlGaAs LED以及GaAsP LED中的一者。
21.根据权利要求1所述的热敏光耦合器封装,其中所述光耦合器进一步包括至少部分围起或包住所述LED、所述光电检测器和所述层的模塑料。
22.根据权利要求1所述的热敏光耦合器封装,其中所述光耦合器是8引脚DIP封装。
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