[发明专利]半导体封装件及其制法无效

专利信息
申请号: 201310024271.6 申请日: 2013-01-23
公开(公告)号: CN103915408A 公开(公告)日: 2014-07-09
发明(设计)人: 黄富堂;柯俊吉 申请(专利权)人: 矽品精密工业股份有限公司
主分类号: H01L23/522 分类号: H01L23/522;H01L21/60
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,其包括:

承载件,其具有接置区及至少一接地垫;

基板本体,其具有多个导电穿孔及相对的第一表面与第二表面,各该导电穿孔具有对应该第一表面与第二表面的第一端部及第二端部,且该导电穿孔的第一端部外露于该基板本体的第一表面,该基板本体并以该第二表面设置于该承载件的接置区上;

金属层,其形成于该基板本体的第一表面上,并外露出该导电穿孔的第一端部;

导电体,其电性连接该金属层与该承载件的至少一接地垫;以及

半导体组件,其设置于该基板本体上,并电性连接该导电穿孔的第一端部。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体封装件还包括绝缘层,其形成于该基板本体的第一表面与该金属层之间,并外露出该导电穿孔的第一端部。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该半导体封装件还包括多个导电材,其形成于该导电穿孔的第一端部上。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件,其特征在于,该金属层具有多个开孔,以外露出该导电材,以使该导电材与该金属层之间形成有间隙。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该导电穿孔贯穿该基板本体的第一表面与第二表面,且该半导体封装件还包括多个导电凸块,其分别形成于该导电穿孔的第二端部上。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该导电体为导电胶,其自该金属层沿着该基板本体的侧面延伸至该承载件的接地垫。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于,该至少一接地垫形成于该接置区外。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其特征在于还包括封装胶体,其形成于该承载件上,用以包覆该基板本体、金属层、导电体及半导体组件。

9.一种半导体封装件的制法,其包括:

提供一具有多个导电穿孔及相对的第一表面与第二表面的基板本体,各该导电穿孔具有对应该第一表面与该第二表面的第一端部及第二端部,该导电穿孔的第一端部外露于该基板本体的第一表面;

于该基板本体的第一表面上形成一金属层,该导电穿孔的第一端部外露于该金属层;

将该基板本体以其第二表面设置于具有至少一接地垫的承载件上;以及

电性连接半导体组件与该导电穿孔的第一端部,并通过至少一导电体电性连接该金属层与该承载件的至少一接地垫。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,具有该金属层的基板本体的制备包括:

形成绝缘层于该基板本体的第一表面上,且该绝缘层外露出该导电穿孔的第一端部;

形成多个导电材于该导电穿孔的第一端部上;以及

形成该金属层于该绝缘层上,且该金属层具有多个开孔以外露出该导电材。

11.根据权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该导电体为导电胶,其自该金属层沿着该基板本体的侧面延伸至该承载件的接地垫。

12.根据权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征在于还包括自该第二表面薄化该基板本体的厚度,以外露出该导电穿孔的第二端部。

13.根据权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,其先通过该导电体电性连接该金属层与该承载件的接地垫,再于该基板本体的第一表面侧电性连接该半导体组件。

14.根据权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,先于该基板本体的第一表面侧电性连接该半导体组件,再通过该导电体电性连接该金属层与该承载件的接地垫。

15.根据权利要求9所述的半导体封装件的制法,其特征在于,该制法还包括形成封装胶体于该承载件上,以包覆该基板本体、金属层、导电体及半导体组件。

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