[发明专利]铝基板及其制造方法及使用该铝基板的LED光源

权利要求书

1.一种铝基板，包括铝底板，其特征在于：所述铝底板表面自上而下依次设有导电金属层、金属氧化物绝缘层、金属薄膜层；该导电金属层上设有导电线路及LED芯片的固晶功能区。

2.根据权利要求1所述的铝基板，其特征在于：所述金属氧化物绝缘层上设有一金属缓冲层，该导电金属层设置在该金属缓冲层上。

3.根据权利要求2所述的铝基板，其特征在于：所述金属缓冲层为钨、钼、钛、铜或其中两种金属所组成的合金材料，其厚度为30-100nm。

4.根据权利要求1所述的铝基板，其特征在于：所述导电金属层上设有焊线功能区，该焊线功能区上设置有金或银材料的焊接层。

5.根据权利要求1所述的铝基板，其特征在于：所述导电金属层包括第一导电金属层及覆盖在该第一导电金属层上的第二导电金属层。

6.根据权利要求5所述的铝基板，其特征在于：所述第一导电金属层的厚度为30-80nm，该第二导电金属层的厚度0.01-0.5mm。

7.根据权利要求1所述的铝基板，其特征在于：所述金属氧化物绝缘层为透明的金属氧化物绝缘层，该金属氧化物绝缘层的厚度为0.1-100um。

8.根据权利要求1所述的铝基板，其特征在于：所述固晶功能区上设置有金、银或金锡合金材料的固晶层。

9.一种如权利要求1-8中任一权利要求所述的铝基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、提供一铝底板，并对该铝底板进行清洁及抛光预处理；

b、采用物理沉积法在该铝底板上生长一金属薄膜层；

c、将表面生长有金属薄膜层的铝底板放入至真空反应腔内，采用原子层化学气相沉积法在该金属薄膜层上生长一金属氧化物绝缘层；

d、在该金属氧化物绝缘层上生长一导电金属层；

e、在该导电金属层表面进行贴膜、蚀刻处理，得到LED芯片的导电线路及LED芯片的固晶功能区；

f、将上述铝底板放入至含氮气或氢气的反应腔内，升温至300～450℃进行合金化处理。

10.根据权利要求9所述的铝基板的制造方法，其特征在于：所述c步骤后还包括一步骤：采用物理沉积法在该金属氧化物绝缘层上生长一金属缓冲层；该导电金属层设置在该金属缓冲层上。

11.根据权利要求9所述的铝基板的制造方法，其特征在于：所述d步骤中的导电金属层包括第一导电金属层及第二导电金属层，该第一导电金属层采用物理或电化学沉积法生成，该第二导电金属层采用采用物理或电化学沉积法生成，该第二导电金属层覆盖在该第一导电金属层上。

12.根据权利要求9所述的铝基板的制造方法，其特征在于：所述e步骤中该导电金属层上预留有焊线功能区，该焊线功能区上设置有金或银材料的焊接层。

13.一种使用如权利要求1-8中任一权利要求所述的铝基板的LED光源，包括铝底板、LED芯片，其特征在于：

所述铝底板表面自上而下依次设有导电金属层、金属氧化物绝缘层、金属薄膜层；该导电金属层上设有导电线路及LED芯片的固晶功能区；

所述LED芯片为正装、倒装或垂直结构的LED芯片，其固定在该导电金属层上的固晶功能区，该LED芯片的电极与该导电金属层上的导电线路电连接，该导电金属层上还设有一保护层，该保护层将该LED芯片覆盖。