[发明专利]基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法有效
申请号: | 201310038365.9 | 申请日: | 2013-01-31 |
公开(公告)号: | CN103064147A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 杨琳娟;姜潇潇;谷琼婵;宋爱娟;梁丽勤;吕江涛;王凤文;司光远 | 申请(专利权)人: | 东北大学秦皇岛分校 |
主分类号: | G02B6/136 | 分类号: | G02B6/136 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 066004 河北省秦皇岛市经*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 聚焦 离子束 刻蚀 波导 方法 | ||
【权利要求书】:
1.一种基于聚焦离子束刻蚀光波导的方法,其特征在于,该方法包括:
S1、设计一种纳米圆环阵列结构,所述纳米圆环阵列结构中纳米圆环互相紧贴,光波导的刻蚀宽度值为两倍的圆环宽度;
S2、将所述纳米圆环阵列结构保存到聚焦离子束刻蚀系统中;
S3、从聚焦离子束系统中调用所述纳米圆环阵列结构,聚焦离子束轰击样品表面进行刻蚀,完成制备。
2.如权利要求1所述方法,其特征在于,所述光波导的刻蚀宽度最小值为20nm。
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