[发明专利]一种去除硬质掩膜结构中缺陷的方法

权利要求书

1.一种去除硬质掩膜结构中缺陷的方法，应用于具有缺陷图案的硬质掩膜结构上，所述硬质掩膜结构包括具有半导体结构的衬底，该衬底的上表面从下至上顺序依次覆盖有介质层、第一氧化物层、硬质掩膜层和第二氧化物层，所述缺陷图案贯穿所述第二氧化物层和所述硬质掩膜，且该缺陷图案部分位于所述第一氧化物层上，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1、刻蚀所述第二氧化物层至所述硬质掩膜的上表面；

步骤S2、刻蚀所述硬质掩膜至所述第一氧化物层的上表面；

步骤S3、对所述第一氧化物层进行平坦化工艺，部分去除所述第一氧化物层，同时将位于所述第一氧化物层上的缺陷图案去除。

2.根据权利要求1所述的去除硬质掩膜结构中缺陷的方法，其特征在于，所述衬底包括硅基板和金属层，所述金属层材质为Cu；所述介质层包括超低介常数介质层和NDC介质层；所述第一氧化物层材质为SiON或TEOS，所述硬质掩模层材质为TiN；所述第二氧化物层包括有两层氧化层，所述氧化层底端为SION层，所述SION层上表面覆盖有OX层。

3.根据权利要求1所述的去除硬质掩膜结构中缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S1中采用高选择比干法蚀刻第二氧化层至所述硬质掩模层的上表面。

4.根据权利要求3所述的去除硬质掩膜结构中缺陷的方法，其特征在于，采用光电直读光谱仪侦测所述第二氧化层的刻蚀工艺中的刻蚀断点。

5.根据权利要求1所述的去除硬质掩膜结构中缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S2中还包括采用过刻蚀工艺完全去除所述第二氧化物层。

6.根据权利要求1所述的去除硬质掩膜结构中缺陷的方法，其特征在于，所述步骤S3采用化学机械研磨工艺部分去除所述第一氧化物层，且剩余的第一氧化物层的厚度为150-250A。

7.根据权利要求1所述的去除硬质掩膜结构中缺陷的方法，其特征在于，所述硬质掩模的材质为TiN。

8.根据权利要求1所述的去除硬质掩膜结构中缺陷的方法，其特征在于，所述第二氧化物层厚度大于350A。

9.根据上述权利要求1至8中任意一项所述的去除硬质掩膜结构中缺陷的方法，其特征在于，还包括：

步骤S4、于剩余的第一氧化物层上表面从下至上顺序依次沉积第一氧化物层、硬质掩模、第二氧化物层。