[发明专利]一种拉制8英寸重掺砷硅单晶的热系统

说明书

技术领域

本发明属于半导体技术领域，尤其是涉及一种拉制8英寸重掺砷硅单晶的热系统。 

背景技术

原有大尺寸热场拉制8寸重掺单晶是在小尺寸热场的基础上放大尺寸，但是成晶率较低很难实现量产；分析原因有(1)其热系统结构固液界面径向温度梯度偏小，拉制大直径单晶时温度波动大断苞率高，对于<111>单晶拉晶过程中单晶宽面较大成晶异常。(2)由于设备CCD信号位置影响，在拉制<111>单晶时宽面过大、信号波动大，CCD信号取值困难影响成晶。 

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种成本低、成晶率高拉制8英寸重掺砷硅单晶的热系统。 

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种拉制8英寸重掺砷硅单晶的热系统，包括导流筒、保温盖和上保温筒，所述上保温筒上设有保温盖，所述保温盖的一端连接所述导流筒，其特征在于：所述上保温筒的高度为220mm，所述导流筒的高度为349mm。 

本发明具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，解决了由于径向温度梯度偏小导致宽面过大成晶异常的问题，同时解决了由于宽面过大影响CCD信号取值困难影响成晶信号波动的问题。 

附图说明

图1是本发明的结构示意图 

图中： 

1、上保温筒        2、保温盖        3、导流筒 

具体实施方式

实施例1 

如图1所示，本发明包括导流筒3、保温盖2和上保温筒1，所述上保温筒1上设有保温盖2，所述保温盖2的一端连接所述导流筒3，其特征在于：所述上保温筒1的高度调整为220mm，所述导流筒3的高度为缩短为349mm。 

通过将上保温筒高度由249mm调整为220mm，以增大径向温度梯度减小宽面尺寸，解决了由于径向温度梯度偏小导致宽面过大成晶异常的问题。通过将导流筒高度由378mm调整为349mm，同时调整CCD观察窗角度，解决了由于宽面过大影响CCD信号取值困难影响成晶信号波动的问题。 

试验例1 

拉制8寸<111>晶向重掺砷硅单晶的工艺数据如下表所示： 

由上表可知由于改进了上保温筒和导流筒，缩短了两者的高度，扩大了CCD取光视野，与现有技术对比：增加了开炉次数，缩短了平均单炉时间，大大提高了成晶率，显著提高了合格率。 

以上对本发明的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实施例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。