[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一半导体层，在基板上且在第一方向上延伸，所述第一半导体层具有第一导电类型；

多个第二半导体层，在所述第一半导体层上且在所述第一方向上间隔开，所述多个第二半导体层具有第二导电类型；以及

绝缘层结构，围绕所述第一半导体层的侧壁和所述多个第二半导体层的侧壁。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体层和所述多个第二半导体层具有与所述基板相同的晶向。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体层的侧壁具有斜面。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体层在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度小于或等于30nm。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述多个第二半导体层的每一个在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度小于或等于30nm。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体层的下部宽度大于所述第一半导体层的上部宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体层的第一上部表面高于所述第一半导体层的第二上部表面，其中所述多个第二半导体层形成在所述第一上部表面上，所述多个第二半导体层没有形成在所述第二上部表面上。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中其上形成所述多个第二半导体层的所述第一半导体层的高度大于其上没有形成所述多个第二半导体层的所述第一半导体层的高度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述第一半导体层包括在一端接触所述基板的至少一个小面，所述至少一个小面从所述基板的上表面以一角度倾斜。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

界面层，在所述第一半导体层和所述绝缘层结构的界面上以及在所述多个第二半导体层和所述绝缘层结构的界面上。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述界面层是热氧化物层。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述绝缘层结构包括：

第一绝缘层，填充第一沟槽且在所述第一方向上延伸，所述第一沟槽由所述基板的上表面以及所述第一半导体层的侧壁和所述多个第二半导体层的侧壁限定；以及

第二绝缘层，填充第二沟槽且在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸，所述第二沟槽由所述第一半导体层没有被所述多个第二半导体层覆盖的上表面和所述多个第二半导体层的侧壁限定。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述第一半导体层为多个第一半导体层，

所述绝缘层结构的底部在所述多个第一半导体层中的相邻的半导体层之间在所述第一方向上延伸，并且

所述绝缘层结构的上部具有在所述第一方向和垂直于所述第一方向的第二方向上连接的网格形状。

14.一种半导体器件，包括：

基板，包括单元区域和周边电路区域；

多个栅极结构，在所述周边电路区域中的所述基板上；

阻挡绝缘层，覆盖所述周边电路区域中的所述基板上的所述多个栅极结构；

多个第一半导体层，在所述单元区域中的所述基板上；

多个第二半导体层，在所述多个第一半导体层上；

多个相变存储单元，在所述多个第二半导体层上，所述多个相变存储单元的每一个包括下电极、相变材料层图案和上电极；以及

绝缘层结构，围绕所述多个第一半导体层的侧壁和所述多个第二半导体层的侧壁。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其中

所述多个第一半导体层具有与所述基板相同的晶向，并且

所述多个第一半导体层的第一上部表面高于所述多个第一半导体层的第二上部表面，其中所述多个第二半导体层形成在所述第一上部表面上，所述多个第二半导体层没有形成在所述第二上部表面上。

16.一种半导体器件，包括：

多个第一导电结构，在基板上在第一方向上延伸；以及

多个第二导电结构，在所述多个第一导电结构上，在第二方向上延伸且在所述第一方向上间隔开，

其中所述多个第一导电结构和所述多个第二导电结构包括单晶半导体层。