[发明专利]多晶硅锭及其制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅锭制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

A、将硅料装载到多晶铸锭炉的坩埚内；

B、对所述坩埚进行加热，全部熔化所述硅料，得到硅液；

C、对所述坩埚底部进行降温，使硅液从所述坩埚底部开始结晶，直至形成3毫米～30毫米高度的晶粒层；

D、对所述坩埚进行升温，使硅液结晶速度降低至5毫米/小时～25毫米/小时之间，包括端点值；

E、对所述坩埚进行降温，使结晶速度保持在步骤D中的结晶速度范围，直至多晶硅锭生长完成；

其中，步骤C的结晶速度大于步骤D的结晶速度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤C中的降温过程包括：在40分钟至80分钟内使坩埚底部温度降低至1220°C～1270°C，包括端点值，使硅液生成晶核。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，步骤C中的降温方法包括：打开坩埚底部散热装置；降低铸锭炉内的加热器功率。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤C运行结束时的结晶速度大于或者等于30毫米/小时。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤D中的升温过程为：使坩埚底部温度升高，且坩埚底部温度小于或等于1280°C，使坩埚底部的晶粒层保持结晶状态。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤D中的升温方法包括：增加铸锭炉内的加热器功率；减小坩埚底部散热装置开度。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤E的结晶过程中，相邻两小时内结晶速度偏差小于15毫米/小时。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶粒层晶粒最大截面直径小于10毫米。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤C-步骤E的结晶过程中保持所述坩埚内的固液界面基本水平。

10.根据权利要求1所述的多晶硅锭制造方法，其特征在于，在执行步骤E之后还包括：

F、对已生长完成的多晶硅锭进行退火，以消除多晶硅锭内应力。

11.根据权利要求10所述的多晶硅锭制造方法，其特征在于，执行步骤F之后还包括：

G、对多晶硅锭进行降温，在温度降至400℃～450℃，包括端点值，进行硅锭出炉操作。

12.一种采用权利要求1-11任意一项所述的多晶硅锭制造方法制作的多晶硅锭，其特征在于，所述多晶硅锭单个晶粒横截面积在0.2平方厘米～9平方厘米之间，包括端点值。