[发明专利]网格加密方法

说明书

临时参考

本申请要求于2012年4月13日提交的名为“Grid Refinement Method”的美国临时申请61/623,959的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

交叉参考

本发明涉及以下共同转让的美国专利申请，它们的内容结合于此作为参考：2012年2月8日由Wen-Chuan Wang等人提交标题为“A MULTIPLE-GRID EXPOSURE METHOD”的美国序列号No.13/368,877。

技术领域

本发明总的来说涉及半导体领域，更具体地，涉及网格加密方法(grid refinement method)。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速增长。在IC发展的进程中，通常增大了功能密度(即，每个芯片面积的互连器件数量)，而减小了几何尺寸(即，使用制造工艺可制造的最小部件(或线))。这种以比例缩小的工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种以比例缩小也增加了处理和制造IC的复杂性，为了实现这些进步，在IC制造方面需要类似发展。

例如，随着半导体工艺追求更高器件密度、更高性能以及更低成本而发展到纳米技术工艺节点，对光刻工艺提出更加严格的要求。例如，已利用诸如浸没式光刻、多重图案化、极紫外(EUV)光刻和电子束光刻的技术来支持更小器件的临界尺寸(CD)需求。然而，这种光刻方法可能导致对更小器件所需的CD产生不利影响的截断误差。已经使用诸如增加曝光网格中的像素数量和预曝光数据准备/计算的特定补偿法来减小截断误差。然而，这些补偿法增加了制造的时间和成本。因此，虽然现有的光刻方法通常已满足要求，但是它们不能在每个方面都令人满意。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种以因子n减小临界尺寸(CD)的光刻工艺的方法，其中n＜1，包括：提供具有第一像素面积S1的图案发生器以产生具有等于n²*S1的第二像素面积S2的数据网格，图案发生器包括具有多个网格段的多段结构，网格段包括第一组网格段和第二组网格段，第一组网格均被配置为在第一方向具有偏移；以及在光刻工艺期间，在垂直于第一方向的第二方向上扫描图案发生器，使得第二组网格段均被控制为具有时延。

优选地，图案发生器具有以因子1/n²增加的像素数量，并且图案发生器的数据量与1/n²成比例。

优选地，图案发生器被设计为产生2^m个灰阶，并且图案发生器的数据量与m/n²成比例。

优选地，图案发生器被设计为具有从2^m减少至2^m-a的灰阶，参数“a”大于0，并且图案发生器的数据量与(m-a)/n²成比例。

优选地，图案发生器中的网格段的数量等于1/n²。

优选地，每个网格段均包括沿着第二方向在每列中具有(2^m-1)个像素的网格阵列，并且数据网格具有2^m个灰阶。

优选地，每个网格段均包括沿着第二方向在每列中具有(2^m-a-1)个像素的网格阵列，并且数据网格具有2^m-a个灰阶，参数“a”大于0。

优选地，图案发生器中的网格段的数量等于1/n。

优选地，每个网格段均包括在第一方向上定向的(2^m-1)/n个像素行，并且数据网格具有2^m个灰阶。

优选地，(2^m-1)/n个像素行包括(2^m-1)组，每一组都包括被配置为在第一方向上相互偏移的1/n个像素行。

优选地，每个网格段均包括在第一方向上定向的(2^m-a-1)/n个像素行，并且数据网格具有2^m-a个灰阶，参数“a”大于0。

根据本发明的另一方面，提供了一种用于光刻工艺的图案发生器，形成在以因子n减小临界尺寸(CD)的数据网格中限定的曝光量，其中n＜1，包括：多个网格段，被配置为使得一组网格段可被控制为在光刻工艺期间具有时延；多个像素，配置在网格段中，以因子1/n²增加像素数量；并且图案发生器中的像素的像素面积等于数据网格的像素面积乘以1/n²。