[发明专利]一种DR及CT成像的曝光参数快速确定方法有效
申请号: | 201310131574.8 | 申请日: | 2013-04-16 |
公开(公告)号: | CN103512905A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 黄魁东;张定华;张华 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | G01N23/04 | 分类号: | G01N23/04;G03B42/02 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 顾潮琪 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 dr ct 成像 曝光 参数 快速 确定 方法 | ||
1.一种DR及CT成像的曝光参数快速确定方法,其特征在于包括下述步骤:
(1)设DR/CT成像系统中探测器暗场校正后可输出的最小均值为GMIN,最大均值为GMAX,计算探测器实际可用的安全输出范围[Gmin,Gmax],Gmin=GMIN+α1,Gmax=GMAX-α1,α1=β1(GMAX-GMIN),β1取0.02~0.10;
(2)设DR/CT成像系统中射线源可输出的最低电压为VMIN,最高电压为VMAX,计算射线源实际可用的安全电压范围[Vmin,Vmax],Vmin=(1+α2)VMIN,Vmax=(1-α2)VMAX,α2取0.05~0.20;
(3)曝光量mAs是射线源电流mA与探测器曝光时间s的乘积,在[Vmin,Vmax]范围内取等差排列的电压v,并在[Gmin,Gmax]范围内取等差排列的输出g,对每一个v,获取每一个g下的mAs,得到曝光参数表T;或者将[Vmin,Vmax]分为低电压范围[Vmin,Vd)和高电压范围[Vd,Vmax],获取[Vmin,Vd)范围内曝光参数表T1的方法如上所述,获取[Vd,Vmax]范围内的曝光参数表T2之前需先在射线源出口前附加过滤板;
(4)构造曝光参数模型g=mAs·(av2+bv+c),其中a、b、c为系数,该模型拟合T得GM,或分别拟合T1、T2得GM1、GM2,所得结果即为该DR/CT成像系统的曝光参数模型;
(5)对于DR成像,将零件感兴趣方位放置于射线源射线照射方向;对于CT成像,将零件的最大厚度放置于射线源射线照射方向;
(6)根据穿透性原则设置零件投影区域的最小输出值gmin,gmin>Gmin;
(7)对于变焦点尺寸射线源,设置空气投影区域的最大输出值gmax=ηgmin,η取5~10;对于其它情况,设置gmax=Gmax;
(8)选择DR/CT成像系统的曝光参数模型GM,或GM1和GM2;
(9)对于GM,在[Vmin,Vmax]中按折半查找法获取优化的曝光参数,即v及相应的mAs,方法为:设VM为查找区间[VL,VR]的中值,对于第1次查找,分别将VL、VM、VR及gmax代入GM,计算得到相应的mAsL、mAsM、mAsR,以这3组曝光参数进行曝光,得到各自零件投影区域的最小输出值gL、gM、gR,其余查找时,若当前区间的VR-VL≤S,则取该区间的VM及其mAsM为优化的曝光参数,否则取该区间的VM及其mAsM曝光得到gM;若(1-k)gmin≤gL、gM或gR≤(1+k)gmin,则其对应的v和mAs即为优化的曝光参数;否则,若gL<gmin<gM则在(VL,VM)中继续折半查找,若gM<gmin<gR则在(VM,VR)中继续折半查找;否则,该零件超出该DR/CT成像系统的优化曝光参数范围;区间阈值S取10~20,偏差系数k取0.05~0.15;对于GM1和GM2,在第1次查找时需以Vd替代VM,并以v的大小确定用GM1或GM2计算得到相应的mAs,其余操作方法与GM相同。
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