[发明专利]通过镀层接合封装元件有效
申请号: | 201310136202.4 | 申请日: | 2013-04-18 |
公开(公告)号: | CN103515251A | 公开(公告)日: | 2014-01-15 |
发明(设计)人: | 林正怡;吴逸文;杨宗翰;何明哲;刘重希 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/31 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 通过 镀层 接合 封装 元件 | ||
1.一种方法,包括:
将第一封装元件的第一电连接件与第二封装元件的第二电连接件对准;以及
随着所述第一电连接件与所述第二电连接件对准,在所述第一电连接件和所述第二电连接件上镀金属层,其中所述金属层将所述第一电连接件接合到所述第二电连接件。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,镀层步骤包括在反应溶液中镀层。
3.根据权利要求2所述的方法,其中,将所述反应溶液配置成形成选自基本上由无电镀铜、无电镀钴、无电镀镍(EN)、无电镀镍浸金(ENIG)、无电镀镍钯(ENEP)、无电镀镍钯浸金(ENEPIG)、浸锡(ImSn)、浸银(ImAg)、浸金(ImAu)以及它们的组合组成的组中的材料。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,所述第一电连接件与所述第二电连接件间隔开一间隙,并且在所述间隙中镀所述金属层,所述金属层的对置表面接触所述第一电连接件和所述第二电连接件的表面。
5.根据权利要求4所述的方法,还包括:在镀层步骤之前,将所述第一封装元件和所述第二封装元件彼此间隔开所述间隙,并将所述第一封装元件和所述第二封装元件浸没在镀层溶液中。
6.根据权利要求1所述的方法,还包括:
将所述第一封装元件的第三电连接件与第三封装元件的第四电连接件对准;以及
随着所述第三电连接件与所述第四电连接件对准,镀另一金属层,其中所述另一金属层将所述第三电连接件接合到所述第四电连接件。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,在将所述第一封装元件的第三电连接件与所述第四连接件对准之前,实施在所述第一电连接件和所述第二电连接件上镀所述金属层的步骤,并且其中,所述方法还包括施加聚合物以覆盖所述第二封装元件。
8.根据权利要求1所述的方法,其中,所述聚合物基本上填满所述第一封装元件和所述第三封装元件之间的全部间隙;或者
所述聚合物的表面与所述第三封装元件的表面基本齐平。
9.一种方法,包括:
将第一封装元件的第一电连接件与第二封装元件的第二电连接件对准;以及
随着所述第一电连接件与所述第二电连接件对准,将所述第一封装元件和所述第二封装元件浸没在镀层溶液中以镀金属层,其中所述金属层接触所述第一电连接件和所述第二电连接件,并且将所述第一电连接件接合到所述第二电连接件;以及
在镀所述金属层之后,从所述镀层溶液中取出所述第一封装元件和所述第二封装元件,
其中,所述第一电连接件和所述第二电连接件选自基本上由金属焊盘和金属柱所组成的组。
10.一种器件,包括:
第一封装元件,包括第一电连接件,其中所述第一电连接件包括第一表面和第一侧壁表面;
第二封装元件,包括第二电连接件,其中所述第二电连接件包括第二表面和第二侧壁表面,并且其中所述第二电连接件的第二表面面对着所述第一电连接件的第一表面;以及
金属层,包括位于所述第一侧壁表面上的第一部分和位于所述第二侧壁表面上的第二部分,其中所述第一部分无间断地连接到所述第二部分,并且在这两部分之间没有交界面。
11.根据权利要求10所述的器件,其中,所述第一表面接触所述第二表面,并且其中所述金属层没有延伸在所述第一表面和所述第二表面之间。
12.根据权利要求10所述的器件,其中,所述第一表面与所述第二表面间隔开一间隙,其中所述金属层包括延伸到所述间隙中的第三部分,并且其中所述金属层的第三部分的一个表面接触所述第一电连接件的第一表面,而另一表面接触所述第二电连接件的第二表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造