[发明专利]AlxCrFeNiCuVTi高熵合金材料及其制备方法无效
申请号: | 201310137845.0 | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN103194656A | 公开(公告)日: | 2013-07-10 |
发明(设计)人: | 钟文华;邹铁梅 | 申请(专利权)人: | 梧州漓佳铜棒有限公司 |
主分类号: | C22C30/00 | 分类号: | C22C30/00;C22C1/02 |
代理公司: | 广西南宁公平专利事务所有限责任公司 45104 | 代理人: | 黄永校 |
地址: | 543103 广西壮族自治区梧*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | al sub crfenicuvti 合金材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种AlxCrFeNiCuVTi高熵合金材料,其特征在于,所述高熵合金成分为AlxCrFeNiCuVTi,其中Al、Cr、Fe、Ni、Cu、V、Ti的摩尔比为x:1:1:1:1:1:1,x的取值范围为0.5~1.5。
2.如权利要求1所述的AlxCrFeNiCuVTi高熵合金材料,其特征在于:所述高熵合金冶炼的原料为块状纯净度不低于99.99%的Al、Cr、Fe、Ni、Cu、V、Ti,原料尺寸为0.5~1.2mm。
3.权利要求1-2所述的AlxCrFeNiCuVTi高熵合金材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)原料前处理,将合金原料置于烧杯中,倒入丙酮溶液,再放置于超音波震荡器中清洗20~30分钟,震荡后再倒入乙醇重复相同的步骤一次,然后置于50℃烘箱中6小时,将原料的水分蒸发,以备熔炼使用,
(2)配料,用感应量为0.1mg的光电分析天平称取原料,按摩尔比配制混合;
(3)熔炼合金,先把混合好的原料放在WK-Ⅱ型非自耗真空电弧炉内的水冷铜坩埚中,关闭炉门将电弧炉抽真空,当炉体内真空度达到3×10-3Pa后充入高纯氩气,重复清洗3~5次,再充入高纯氩气使炉体内的气压保持在0.8~0.9个气压,保护试样不受氧化,最后打开熔炼直流电源开关进行熔炼,熔炼合金起弧电流为30~40A,稳定后电流为90A,合金每熔炼一次用时10s,反复翻转熔炼5次,熔炼完成后,得到AlxCrFeNiCuVTi高熵合金;
(4)热处理,将AlxCrFeNiCuVTi高熵合金封进抽真空后充入适量氩气保护的石英管中,在温度为600℃~1000℃下保温12小时,而后随炉冷却,以消除其在熔炼状态下的残余热应力。
4.如权利要求3所述的AlxCrFeNiCuVTi高熵合金材料的制备方法,其特征在于,所述高熵合金材料热处理前,先用差示扫描量热法DSC对合金进行热分析,得到合金的相转变温度为700℃~950℃,然后根据合金的相转变温度得到相应的退火温度600℃~1000℃。
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