[发明专利]一种等离子体沉积及刻蚀系统有效

专利信息
申请号: 201310145946.2 申请日: 2013-04-24
公开(公告)号: CN103215561A 公开(公告)日: 2013-07-24
发明(设计)人: 李俊杰;顾长志;李云明;田士兵;李林 申请(专利权)人: 中国科学院物理研究所
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/50;H01L21/3065;H01L21/205
代理公司: 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 代理人: 王艺
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 等离子体 沉积 刻蚀 系统
【权利要求书】:

1.一种等离子体沉积及刻蚀系统,包括:腔体、设置在腔体内的阴极载物台,上栅极,加热装置,其特征在于,还包括用于冷却上栅极的冷却装置;用于为上栅极、加热装置以及加热装置、阴极之间提供偏压的偏压电源。

2.如权利要求1所述的等离子体沉积及刻蚀系统,其特征在于,所述加热装置为灯丝加热装置,所述灯丝加热装置包括:灯丝、设置在腔体内的两个平行的灯丝架;所述灯丝加热装置至少包括两根灯丝,至少两根灯丝均匀、相互平行的排布在灯丝架上。

3.如权利要求2所述的等离子体沉积及刻蚀系统,其特征在于,所述灯丝架的横杆上套设有用于固定灯丝的定滑轮,至少灯丝的一端连接有弹簧,且通过弹簧固定在灯丝架的下部。

4.如权利要求2所述的等离子体沉积及刻蚀系统,其特征在于,所述灯丝架的上还设置有灯丝限位装置,其设置于灯丝上部,用于压住灯丝防止灯丝通电瞬间跳动导致短路。

5.如权利要求1所述的等离子体沉积及刻蚀系统,其特征在于,所述冷却装置为设置在上栅极内部的循环水系统。

6.如权利要求1所述的等离子体沉积及刻蚀系统,其特征在于,所述偏压电源的控制装置为LC电路控制装置。

7.如权利要求1所述的等离子体沉积及刻蚀系统,其特征在于,所述灯丝是半径为0.5mm的Ta丝,所述灯丝架为金属Cu结构。

8.如权利要求1所述的等离子体沉积及刻蚀系统,其特征在于,所述上栅极为与衬底直径相同的圆形Ta片结构。

9.如权利要求1所述的等离子体沉积及刻蚀系统,其特征在于,所述腔体的真空度能够达到1Pa以下。

10.如权利要求2所述的等离子体沉积及刻蚀系统,其特征在于,还包括用于为灯丝加热装置提供电源的灯丝电源,所述灯丝电源为交流恒流电源;为所述上栅极、灯丝加热装置提供偏压的为栅极电源,所述栅极电源为直流恒流电源,以及为灯丝加热装置、衬底之间提供偏压的衬底电源,该衬底电源为偏压直流电源。

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