[发明专利]具有用于覆盖气隙的间隔件的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电层；

硬掩模，其层叠在所述第一导电层上方；

第二导电层，其形成为邻接所述导电层的一侧；

第三导电层，其层叠在所述第二导电层上方；

气隙，其形成在所述第一导电层与所述第二导电层之间；以及

气隙覆盖层，其形成在所述硬掩模和所述第三导电层之间，并覆盖所述气隙的入口。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其进一步包括：

绝缘层间隔件，其形成在所述第一导电层和所述硬掩模的侧壁上。

3.一种半导体器件，包括：

位线图案，其包括位线及层叠在所述位线上方的硬掩模；

储存节点接触，其包括第一导电层和层叠在所述第一导电层上方的第二导电层，所述储存节点接触形成为邻接所述位线图案的一侧；

气隙，其形成在所述位线和所述第一导电层之间；以及

气隙覆盖层，其形成在所述硬掩模和所述第二导电层之间，所述气隙覆盖层覆盖所述气隙的入口。

4.如权利要求3所述的半导体器件，还包括：

储存节点，其形成在所述第二导电层的上方。

5.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第一导电层包括多晶硅层。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其中所述第二导电层包括金属性薄膜。

7.如权利要求6所述的半导体器件，还包括：

硅化物层，其插置于所述多晶硅层与所述金属性薄膜之间。

8.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述第二导电层包括钛(Ti)和氮化钛(TiN)与钨(W)的层叠层。

9.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述气隙覆盖层由绝缘材料形成。

10.如权利要求9所述的半导体器件，其中所述气隙覆盖层包括通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺获得的氮化物层。

11.如权利要求3所述的半导体器件，其中所述位线图案还包括：

绝缘层间隔件，其形成在所述位线和所述硬掩模的侧壁上。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其中所述绝缘层间隔件由氮化物层形成。

13.一种用于制造半导体器件的方法，包含以下步骤：

形成位线图案，其包括层叠在衬底上的第一导电层和硬掩模；

在所述位线图案的侧壁上形成牺牲层；

形成与所述牺牲层接触并与所述位线图案相邻的第二导电层；

使所述第二导电层凹陷；

通过移除所述牺牲层来在所述凹陷的第二导电层与所述第一导电层之间形成气隙；以及

在所述硬掩模的侧壁上形成气隙覆盖层，以覆盖所述气隙的入口。

14.如权利要求13所述的方法，还包含：

通过在形成所述气隙覆盖层的所述衬底的轮廓上沉积导电材料来在所述第二导电层上方形成第三导电层，并执行回蚀工艺。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述牺牲层为从氮化钛层、氧化钨层、氧化铝层(Al₂O₃)、硅(Si)层及其组合中选择的一种。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述牺牲层为氮化钛层，且所述牺牲层使用硫酸(H₂SO₄)与过氧化氢(H₂O₂)的混合溶液来移除。

17.如权利要求13所述的方法，其中所述气隙覆盖层由氮化物层形成，所述氮化物层通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺获得。

18.如权利要求14所述的方法，其中所述第一导电层为位线，且所述第二导电层和所述第三导电层形成储存节点接触。

19.如权利要求13所述的方法，还包含：

在形成所述牺牲层之前，在层叠有所述第一导电层和所述硬掩模的层叠结构的侧壁上形成绝缘层间隔件。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述绝缘层间隔件由氮化物层组成。