[发明专利]一种大规模制备石墨烯粉体的方法有效

专利信息
申请号: 201310200469.5 申请日: 2013-05-27
公开(公告)号: CN103253661A 公开(公告)日: 2013-08-21
发明(设计)人: 丁古巧;徐传艳;李修兵;孙静;徐旭光;谢晓明;江绵恒 申请(专利权)人: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
主分类号: C01B31/04 分类号: C01B31/04
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 许亦琳;余明伟
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 大规模 制备 石墨 烯粉体 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种大规模制备石墨烯粉体的方法,属于无机新材料技术领域。

背景技术

2004年,英国曼切斯特大学的Andre K.Geim等制备出了石墨烯材料。从此以后,石墨烯以其独特的结构和光电性质引起广泛重视。石墨烯是一种碳原子以sp2杂化轨道成键,以六元环结构形成的单层二维蜂窝状晶格结构的碳材料。材料的结构决定了其性能,石墨烯这种独特的结构给它带来了独特的性能,比如具有极高的电子迁移率、是目前已知的机械强度最高的物质,且还具有极高的导热率和大的比表面积,这些优良的性能决定了石墨烯在众多领域的应用,如可用于锂离子电池、超级电容器、氢储藏及生物材料制品等。

目前已知的制备石墨烯的方法包括微机械剥离法、超真空石墨烯外延生长法、氧化还原法、化学气相沉积法、溶剂剥离法、电解法、溶剂热法。其中微机械法只能产生有限的石墨烯片,一般作为基础研究。超真空外延法及化学气相沉积法成本较高、工艺复杂。氧化还原法虽然可做到大规模制备,但由于氧化还原过程中,破坏了sp2杂化网络结构,造成制备得到的石墨烯缺陷较多。而溶剂热法反应时间很长且产率低,也限制了其工业化应用。

中国发明专利CN 102066245A公布了《石墨烯的制备方法》,这一方法是在碱存在下,将经过纯化、剥落的石墨氧化物用水合肼进行还原。水合肼含有毒性,易残留在石墨烯中,且除去杂质又需额外的步骤。

中国发明专利CN 101139090A公布了《一种二维单层石墨烯的制备方法》,该方法虽然能获得高质量的石墨烯,但很显然,难以做到规模化制备。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术中的问题,提供一种低成本且能大规模制备高质量石墨烯粉体的方法。

本发明是通过以下技术方案实现的:

一种大规模制备石墨烯粉体的方法,其特征包括如下步骤:

(1)将石墨加入到含有氧化剂和插层剂的混合溶液中,搅拌均匀;

(2)超声处理,同时连续通入气体He,形成插层剂和He分子插层的石墨插层化合物;

(3)过滤、洗涤至中性然后干燥,得到石墨插层化合物;

(4)空气气氛中进行热处理,实现石墨插层化合物首次剥离;

(5)将首次剥离后的石墨分散在有机溶剂中,超声处理的同时继续通入气体He;

(6)离心去掉沉淀,取上层溶液进行过滤、洗涤、烘干后即得到石墨烯粉体。

其中,

步骤(1)中,所述氧化剂选自浓硝酸、双氧水和浓硫酸;所述插层剂选自浓硝酸、双氧水、乙酸、乙酸酐、磷酸和磷酸酐;氧化剂和插层剂不同时为同一种物质。

步骤(1)中,所述石墨、氧化剂和插层剂的质量之比为0.5~1:3~8:0.1~0.8。

步骤(1)中,所述石墨在氧化剂和插层剂混合溶液中的搅拌时间为3~9h。

步骤(2)中,所述超声处理的功率为600~1200w,超声处理时间为30~60分钟;在每升氧化剂和插层剂混合溶液中气体He的通气速率为0.1~1L/min。

步骤(3)中,所述干燥的温度为60~80℃;时间为5~8h。

步骤(4)中,所述热处理的温度为400~800℃,时间为10~100秒;热处理过程中插层剂快速分解且He分子从石墨层间逸出,实现石墨插层化合物的剥离。

步骤(5)中,所述有机溶剂选自N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基甲酰胺、二甲亚砜、甲苯、异丙醇和乙醇;有机溶剂的用量为100~1000g/g石墨。

步骤(5)中,所述超声处理的功率为600~1200w,超声处理时间为30~60分钟;在每升有机溶剂中气体He的通气速率为0.1~1L/min。

步骤(6)中,所述洗涤的洗涤剂为乙醇和去离子水的混合溶液。

步骤(6)中,所述烘干的温度为80~100℃,烘干时间为15~24h。

本发明的技术效果及优点在于:

1、首次引入He气体分子插层,较为安全环保,且操作简单;

2、设备简单、生产步骤少、产率高,适合大规模生产;

3、制得的石墨烯粉体缺陷少、导电性好。

附图说明

图1实施例1不同插层时间、相同含量He原子辅助插层得到的插层石墨的Raman光谱图

图2实施例1稀释后的少层石墨烯分散液的丁达尔现象

图3实施例1所制得的石墨烯分散液的Raman光谱图

图4实施例1所制得的石墨烯的SEM图

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