[发明专利]直通硅晶穿孔及其制作工艺

权利要求书

1.一种直通硅晶穿孔，包含：

基底，具有一孔洞，位于一面中；

导电插塞，设置于该孔洞中，且该导电插塞具有一上半部，突出于该面，其中该上半部具有一顶部以及一底部，且该顶部较该底部细；以及

导电垫，位于该导电插塞上，该导电垫与该底部具有相同直径。

2.如权利要求1所述的直通硅晶穿孔，其中该导电插塞包含铜。

3.如权利要求1所述的直通硅晶穿孔，其中该导电垫包含镍、锡或金。

4.如权利要求1所述的直通硅晶穿孔，其中该顶部较该导电垫细。

5.如权利要求1所述的直通硅晶穿孔，其中该底部与该孔洞中的该导电插塞的一下半部具有相同直径。

6.如权利要求1所述的直通硅晶穿孔，其中该孔洞的深宽比介于3.5～10。

7.如权利要求1所述的直通硅晶穿孔，其中该孔洞的临界尺寸(critical dimension,CD)小于18微米(micrometer,μm)。

8.一种直通硅晶穿孔制作工艺，包含：

提供一基底，其具有一面；

自该基底的该面，形成一孔洞；

形成一第一导电材料覆盖该孔洞以及该面；

形成一图案化光致抗蚀剂覆盖该面并暴露该孔洞；

形成一第二导电材料于暴露出的该第一导电材料上；

移除该图案化光致抗蚀剂；以及

移除位于该面上的该第一导电材料以形成一导电插塞于该孔洞中。

9.如权利要求8所述的直通硅晶穿孔制作工艺，其中该导电插塞具有一上半部突出于该面，该上半部具有一顶部以及一底部，且该顶部较该底部细。

10.如权利要求8所述的直通硅晶穿孔制作工艺，其中该孔洞的深宽比介于3.5～10。

11.如权利要求8所述的直通硅晶穿孔制作工艺，其中该孔洞的临界尺寸(critical dimension,CD)小于18微米(micrometer,μm)。

12.如权利要求8所述的直通硅晶穿孔制作工艺，在形成该第一导电材料之前，还包含：

依序形成一阻障层以及一晶种层覆盖该孔洞以及该面。

13.如权利要求8所述的直通硅晶穿孔制作工艺，其中该第一导电材料以及第二导电材料以电镀形成。

14.如权利要求10所述的直通硅晶穿孔制作工艺，其中该第一导电材料形成至剩下的该孔洞的深宽比小于3。

15.如权利要求14所述的直通硅晶穿孔制作工艺，其中该第一导电材料形成至剩下的该孔洞的深宽比为2.5。

16.如权利要求8所述的直通硅晶穿孔制作工艺，在移除该第一导电材料之前，还包含：

形成一导电垫于该第二导电材料上。

17.如权利要求16所述的直通硅晶穿孔制作工艺，其中移除该第一导电材以该导电垫作为一掩模。

18.如权利要求8所述的直通硅晶穿孔制作工艺，在形成该图案化光致抗蚀剂之后，还包含：

进行一氧处理制作工艺。