[发明专利]蚀刻嵌在玻璃中的牺牲特征来制造微机电系统结构的方法

权利要求书

1. 一种制造微机电系统结构的方法，所述方法包括：

在最接近硅基板的第一表面的掺杂层中制造加工结构，其中所述硅基板的掺杂层被改性地p型掺杂；

将所述硅基板的第一表面结合到其中嵌入有一个或更多个第一牺牲特征的第一平面玻璃结构上；

进行蚀刻从而移除硅基板的主体，其中所述主体是所述硅基板上面的第一表面的倒像，其中蚀刻移除了所述主体并且剩留下被结合到第一平面玻璃结构上的加工结构，且其中至少部分地使用相对于更高掺杂的硅而言选择性地蚀刻掺杂更少的硅的选择性蚀刻剂执行进行蚀刻从而移除硅基板的主体的步骤；并且

进行蚀刻从而从第一平面玻璃结构上移除一个或更多个第一牺牲特征，其中使用相对于更高掺杂的硅而言选择性地蚀刻掺杂更少的硅的选择性蚀刻剂执行进行蚀刻从而移除一个或更多个第一牺牲特征的步骤。

2. 根据权利要求1所述的方法，包括：

将加工结构的暴露表面结合到其中嵌入有一个或更多个第二牺牲特征的第二平面玻璃结构上，当所述加工结构被结合到第一平面玻璃结构上时，由此将加工结构设置在第一平面玻璃结构与第二平面玻璃结构之间；并且

进行蚀刻以从第二平面玻璃结构上移除一个或更多个第二牺牲特征，其中使用相对于更高掺杂的硅而言选择性地蚀刻掺杂更少的硅的选择性蚀刻剂执行进行蚀刻从而移除一个或更多个第二牺牲特征的步骤。

3. 根据权利要求1所述的方法，包括：

通过以下步骤形成其中嵌入有一个或更多个牺牲特征的第一平面玻璃结构：

对第二硅基板的第二表面进行蚀刻以在其中形成一个或更多个硅特征；

将玻璃基板结合到第二硅基板的第二表面上面，从而使得在玻璃基板与第二硅基板之间形成一个或更多个密封真空；

对玻璃基板进行加热，从而致使玻璃基板流入一个或更多个密封真空中；

移除玻璃基板外表面的一部分和第二硅基板的主体，从而形成其中嵌入有所述一个或更多个硅特征的平面玻璃结构，其中所述一个或更多个硅特征是一个或更多个牺牲特征。