[发明专利]一种MOS门PLC光耦驱动电路及电阻回路装置有效
申请号: | 201310260257.6 | 申请日: | 2013-06-26 |
公开(公告)号: | CN103337839A | 公开(公告)日: | 2013-10-02 |
发明(设计)人: | 杨广羽;刘敏;刘高峰;王清坚;霍鹏飞;邹卓霖 | 申请(专利权)人: | 国家电网公司;许继集团有限公司;许继电气股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/00 | 分类号: | H02H9/00;H02H9/04 |
代理公司: | 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 | 代理人: | 胡泳棋 |
地址: | 100031 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 mos plc 驱动 电路 电阻 回路 装置 | ||
技术领域
本发明涉及高压直流输电控制保护领域,具体涉及一种MOS门PLC光耦驱动电路及电阻回路装置。
背景技术
由于MOS门回路信号传输速度快等特点,在高压直流输电控制保护系统接口设计中,大量应用此类MOS门设计的PLC光耦端子。由于MOS门开断过程中会引起电流的不断变化,这些不断变化的电流流过导线及印制板上,会产生电压的变化。在MOS门元件的电子设计回路中,为了保证MOS元件的电压不随这电流发生剧烈变化,会在MOS门上增加旁路电容来滤除高频干扰信号。
由于MOS门本身寄生电路及旁路电容的影响,在MOS门关断过程中,有较长的放电时间;而且当PLC光耦端子的原边激励断开情况下,瞬间合上MOS门电路会有短时导通的现象,容易造成后级负载的误触发。
发明内容
本发明的目的是提供一种MOS门PLC光耦驱动电路及电阻回路装置,用以消除现有采用MOS电路的PLC光耦受旁路电容影响的问题。
为实现上述目的,本发明的方案是:一种MOS门PLC光耦驱动电路,该PLC光耦驱动电路包括一个配置有MOS门电路的PLC光耦端子,在所述PLC光耦端子的后级负载两端并联有电阻回路,所述电阻回路由一个开关和一个电阻串联组成。
所述开关为一个刀闸。
本发明还提供一种电阻回路装置,所述电阻回路装置由一个电阻回路组成,所述电阻回路由一个开关和一个电阻串联组成,所述电阻的一端焊接在开关的一端,电阻和开关的另一端对应连接所述电阻回路装置的两个导电端,所述电阻回路装置通过所述导电端用于安装在MOS门PLC光耦端子的后级负载回路中。
所述电阻回路装置卡扣安装在MOS门PLC光耦端子的后级负载回路中。
所述开关为刀闸
本发明达到的有益效果:本发明在MOS门PLC光耦端子的后级负载回路中设置有电阻回路,当PLC光耦端子的原边激励消失时,首先通过接通该电阻回路,将PLC光耦中MOS门电路产生的瞬时冲击电压通过电阻回路放电,这样,再合上后级负载回路的开关,就避免了PLC光耦端子原边激励的断开情况下,因瞬间合上后级负载回路开关产生的冲击电压导致PLC光耦的短时导通现象,并且由于增加电阻回路,使得回路中电流增大,减少了旁路电容的放电时间,消除了MOS门自身寄生电路和其旁路电容的影响。
电阻直接焊接在刀闸端子中,且电阻回路采用卡扣式安装方式,PLC光耦端子中有散热小孔,便于电阻的安装及散热,且维护成本低,易于实现现场安装和改进。
附图说明
图1是本发明MOS门PLC光耦驱动电路原理图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明做进一步详细的说明。
MOS门PLC光耦驱动电路实施例:
本发明的MOS门PLC光耦回路包括一个配置有MOS门电路的PLC光耦端子,在所述PLC光耦端子的后级负载两端并联有电阻回路,所述电阻回路由一个开关和一个电阻串联组成。
如图1所示,K2为PLC光耦的原边控制开关,K1为后级负载回路控制开关,电阻回路由电阻R和开关K3串联组成,本实施例中,后级负载为一个PLC光耦,开关K3为一个刀闸,该电阻回路并联在后级PLC光耦两端,电阻回路具有消除MOS门电路短时导通现象和加快MOS门电路放电时间的作用,具体实施过程如下:
1.消除MOS门电路短时导通现象
如图1,接入电阻回路之前,在K2断开的情况下,即在前级PLC光耦原边激励断开的情况下,如果瞬间闭合开关K1,会产生教的冲击电压,较大的冲击电压会使前级光耦的MOS门电路产生一个短时的导通,导致后级PLC光耦的误触发。
接入电阻回路后,在K2闭合,K1断开的情况下,即是前一级PLC光耦中MOS门电路的测试状态,当测试结束,先合上电阻回路刀闸K3,把电阻接入到负载回路中,然后再断开K2,由于电阻回路为MOS门电路提供电流回路,MOS门电路本身寄生电路及旁路电容的瞬时冲击电压经电阻回路放电,最后再合上K1开关,这样就消除了MOS门电路的短时导通现象。
2.加快MOS门电路放电时间
如图1,接入电阻回路之前,在K1闭合的情况下,如果直接瞬时打开K2,由于MOS门自身寄生电路及其旁路电容的影响,在MOS门关断过程中,放电时间比较长,易引起下级回路的误动作。
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