[发明专利]基于双重反馈结构的AB类输出级的运算放大器

权利要求书

1.一种基于双重反馈结构的AB类输出级的运算放大器，其特征在于，包括：

输入级电路，用于输入电压信号；

AB类输出级电路，电压信号经输入级电路输出至AB类输出级电路，提供运算放大器的输出电压信号；

共模反馈电路，所述输出电压信号经共模反馈电路反馈至输入级电路；

双重反馈结构，所述输出电压信号经双重反馈结构反馈至输入级电路和AB类输出级电路；

所述的输入级电路，由场效应管M₅、M_1a、M_1b、M_3a和M_3b组成：

其中，场效应管M₅为输入级电路提供偏置电流，场效应管M₅的栅极电压为V_B，场效应管M₅的源极连接电源V_DD，场效应管M₅的漏极连接场效应管M_1a和M_1b的源极；

其中，场效应管M_1a和M_1b为运算放大器的输入场效应管，场效应管M_1a和M_1b的栅极电压分别为V_in和V_ip，场效应管M_1a和M_1b的源极共同连接场效应管M₅的漏极，场效应管M_1a的漏极连接场效应管M_3a的漏极，场效应管M_1b的漏极连接场效应管M_3b的漏极；

其中，场效应管M_3a和M_3b为输入级电路的负载，同时作为共模反馈电路的一部分，场效应管M_3a和M_3b的栅极共同连接OPA的输出端，场效应管M_3a的漏极连接场效应管M_1a的漏极，场效应管M_3b的漏极连接场效应管M_1b的漏极，场效应管M_3a和M_3b的源极共同连接至地V_SS；

所述的输出级电路，由场效应管M_4a、M_4b、M_2a、M_2b、电阻R_Ea、电容C_Ea、电阻R_Eb和电容C_Eb组成：

其中，场效应管M_2a的栅极连接至场效应管M_3a的漏极，M_2b的栅极连接至场效应管M_3b的漏极，场效应管M_2a和M_2b的源极共同连接至地V_SS，场效应管M_2a漏极连接至场效应管M_4a的漏极，效应管M_3a的漏极连接至场效应管M_4b的漏极；

其中，场效应管M_4a的栅极连接至电阻R_Ea与电容C_Ea的公共连接点，M_4b的栅极连接至电阻R_Eb与电容C_Eb的公共连接点，场效应管M_4a和M_4b的源极共同连接至电源V_DD，场效应管M_4a漏极连接至场效应管M_2a的漏极，场效应管M_4b的漏极连接至场效应管M_2b的漏极；

其中，电阻R_Ea的一端连接至直流偏置电压V_B，另一端连接至电容C_Ea；

其中，电容C_Ea的一端连接至场效应管M_3a的漏极，另一端连接至电阻R_Ea；

其中，电阻R_Eb的一端连接至直流偏置电压V_B，另一端连接至电容C_Eb；

其中，电容C_Eb的一端连接至场效应管M_3b的漏极，另一端连接至电阻R_Eb。