[发明专利]制造半导体装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，包括如下步骤：

（a）提供具有第一表面的支撑衬底；

（b）在所述步骤（a）之后，将第一半导体芯片装配在所述支撑衬底的第一表面之上以便所述第一半导体芯片的第一背表面面向所述支撑衬底的第一表面，所述第一半导体芯片具有第一主表面、在所述第一主表面上形成的第一半导体元件、在所述第一主表面上形成的并且与所述第一半导体元件电连接的第一主表面焊盘、在所述第一主表面焊盘之上形成的第一导电部件、以及与所述第一主表面相反的所述第一背表面；

（c）在所述步骤（b）之后，将第二半导体芯片装配在所述第一半导体芯片的第一主表面之上以便所述第二半导体芯片的第二背表面面向所述第一半导体芯片的第一主表面，并且通过所述第一导电部件将所述第一半导体芯片的第一主表面焊盘与所述第二半导体芯片的第二背表面焊盘电连接，所述第二半导体芯片具有第二主表面、在所述第二主表面上形成的第二半导体元件、在所述第二主表面之上形成的并且与所述第二半导体元件电连接的第二主表面焊盘、在所述第二主表面焊盘之上形成的第二导电部件、与所述第二主表面相反的第二背表面、以及在所述第二背表面上形成的且与所述第二主表面焊盘电连接的第二背表面焊盘，

其中，所述第二半导体芯片的外形尺寸比所述第一半导体芯片的外形尺寸小；

（d）在所述步骤（c）之后，使用密封材料密封所述第一半导体芯片、所述第二半导体芯片、和所述第二导电部件，以便所述第二导电部件不从所述密封材料中暴露；

（e）在所述步骤（d）之后，在所述支撑衬底的第一表面之上布置基部衬底以便所述基部衬底的第三表面面向所述支撑衬底的第一表面，使用所述密封材料固定所述基部衬底，以及将所述基部衬底的焊接引线与所述第二半导体芯片的第二导电部件电连接，所述基部衬底具有所述第三表面、在所述第三表面上形成的多个所述焊接引线、与所述第三表面相反的第四表面、以及在所述第四表面上形成的多个隆起连接盘；以及

（f）在所述步骤（e）之后，在所述基部衬底的各个隆起连接盘处布置外部端子。

2.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中所述密封材料为NCF。

3.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，

其中所述密封材料包括热固性树脂，

其中所述步骤（d）在所述密封材料的固化反应未开始的温度执行，以及

其中所述步骤（e）在所述密封材料的固化反应开始的温度执行。

4.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中在所述步骤（d）中使用所述密封材料填充所述基部衬底和所述支撑衬底之间的间隙。

5.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中所述步骤（c）包括使用粘合剂填充所述第一半导体芯片的第一主表面和所述第二半导体芯片的第二背表面之间的间隙的步骤。

6.根据权利要求5所述的制造半导体装置的方法，其中所述粘合剂为NCF或NCP。

7.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中所述第二半导体芯片的第二背表面焊盘通过在所述第二半导体芯片内形成的通孔与所述第二主表面焊盘电连接。

8.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，其中所述第一半导体芯片为形成有存储器电路的存储器芯片，所述第二半导体芯片为形成有控制所述第一半导体芯片的存储器电路的控制电路的微型计算机芯片。

9.根据权利要求8所述的制造半导体装置的方法，其中所述第一半导体芯片的存储器电路为DRAM电路。

10.根据权利要求1所述的制造半导体装置的方法，

其中，在所述步骤（a）中提供的所述支撑衬底的第一表面之上形成配线，以及

其中，在所述步骤（d）之后，在所述密封材料内形成通孔，在所述支撑衬底之上形成的所述配线通过所述通孔与所述基部衬底之上形成的焊接引线电连接。