[发明专利]先封后蚀三维系统级芯片正装凸点封装结构及工艺方法

权利要求书

1.一种先封后蚀三维系统级芯片正装凸点封装结构的工艺方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：

步骤一、取金属基板

步骤二、金属基板表面预镀铜材

在金属基板表面预镀一层铜材；

步骤三、贴光阻膜作业

在步骤二完成预镀铜材的金属基板正面及背面分别贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤四、金属基板正面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤三完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行金属线路层电镀的区域；

步骤五、电镀金属线路层

在步骤四中金属基板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上金属线路层，金属线路层电镀完成后即在金属基板正面形成相应的基岛和引脚；

步骤六、贴光阻膜作业

在步骤五完成电镀金属线路层的金属基板正面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤七、金属基板正面去除部分光阻膜

利用曝光显影设备将步骤六完成贴光阻膜作业的金属基板正面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板正面后续需要进行导电柱子电镀的区域；

步骤八、电镀导电柱子

在步骤七中金属基板正面去除部分光阻膜的区域内电镀上导电柱子； 

步骤九、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜；

步骤十、装片

在步骤五形成的基岛正面涂覆导电或不导电粘结物质进行第一芯片的植入；

步骤十一、金属线键合

在第一芯片正面与步骤五形成的引脚之间进行键合金属线作业；

步骤十二、环氧树脂塑封

在完成装片打线后的金属基板正面进行环氧树脂塑封保护；

步骤十三、环氧树脂表面研磨

在步骤十二完成环氧树脂塑封后进行表面研磨； 

步骤十四、贴光阻膜作业

在步骤十三完成环氧树脂表面研磨后的金属基板正面和背面贴上可进行曝光显影的光阻膜；

步骤十五、金属基板背面去除部分光阻膜

参利用曝光显影设备将步骤十四完成贴光阻膜作业的金属基板背面进行图形曝光、显影与去除部分图形光阻膜，以露出金属基板背面后续需要进行蚀刻的区域；

步骤十六、蚀刻

在步骤十五中金属基板背面去除部分光阻膜的区域进行化学蚀刻；

步骤十七、去除光阻膜

去除金属基板表面的光阻膜，去除光阻膜的方法采用化学药水软化并采用高压水冲洗即可；

步骤十八、电镀抗氧化金属层或披覆抗氧化剂

在步骤十七中去除光阻膜后金属基板表面裸露在外的金属表面进行抗氧化金属层电镀或是抗氧化剂披覆；

步骤十九、装片

在基岛背面涂覆导电或不导电粘结物质进行第二芯片的植入；

步骤二十、金属线键合

在第二芯片正面与引脚背面之间进行键合金属线作业；

步骤二十一、环氧树脂塑封

在完成装片打线后的金属基板背面进行环氧树脂塑封保护；

步骤二十二、植球

在步骤十八完成电镀抗氧化金属层或披覆抗氧化剂的导电柱子顶部植入第一金属球；

步骤二十三、切割成品

将步骤二十二完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得先封后蚀三维系统级芯片正装凸点封装结构成品。