[发明专利]互补式开关射频切换器

说明书

技术领域

本发明是有关于一种固态射频切换器，尤指一种应用主动组件传导样态组合选择的射频切换器。

背景技术

在许多有线或是无线通信系统中，射频(RF)切换器是很重要的功能区块，其中固态RF切换器可见于许多不同的通信装置中，例如移动电话、无线传呼机和无线基础建设、卫星通信及有线电视等设备。如众所周知，RF切换器的效能可利用插入损耗(insertion loss)和开关隔离度(switch isolation)等的效能参数组合来评估。在RF切换器的设计中，效能参数之间常是环环相扣，当着重在任一效能时，常会牺牲其它效能；另外，其它重要的特性包括回波损耗(return loss)、整合的简单性和程度、复杂度、良率和制造成本。

其它RF切换器的效能包含切换器控制和以制造导向的电路布局的简单性。

发明内容

本发明公开一种互补式开关射频（RF）切换器。RF切换器主要包含共同埠、第一射频路径、第二射频路径、第一分流路径和第二分流路径。

在本发明的一实施例中，设置在第一射频路径和第二射频路径的开关具有第一传导样态，以及设置在第一分流路径和第二分流路径的开关具有第二传导样态，其中第一传导样态和第二传导样态不同。

本发明另一实施例，设置在第一射频路径和第二射频路径的开关具有互补的传导样态，设置在第一射频路径和第一分流路径的开关具有互补的传导样态，设置在第二射频路径和第二分流路径的开关具有互补的传导样态。

本发明又另一实施例，设置在第一射频路径和第二射频路径的开关具有互补的传导样态，设置在第一射频路径和第一分流路径的开关具有第一传导样态，设置在第二射频路径和第二分流路径的开关具有第二传导样态，其中第一传导样态和第二传导样态不同。

附图说明

图1是本发明实施例1的RF切换器示意图。

图2是本发明实施例2的RF切换器示意图。

图3是本发明实施例3的RF切换器示意图。

图4是本发明实施例4的RF切换器示意图。

图5是本发明开关的堆栈组态示意图。

其中，附图标记说明如下：

100、200、300、400                  射频切换器（RF切换器）

105(1)-105(4)                       栅极控制端

110(1)-110(4)                       电阻

120(1)-120(4)                       阻隔电容

GND                                 地端

M1-M4、M1'-M4'                      开关

RFC                                 共同埠

RF1-2                               埠

SW、SWB                             控制信号

具体实施方式

图1是本发明实施例1的RF切换器100示意图。RF切换器100包含共同埠RFC、埠RF1和埠RF2。开关M1设置在共同埠RFC和埠RF1之间，开关M2设置在共同埠RFC和埠RF2之间，开关M3设置在埠RF1和地端GND之间，以及开关M4设置在埠RF2和地端GND之间。

第一射频路径是定义在共同埠RFC与埠RF1之间且通过开关M1；第二射频路径是定义在共同埠RFC与埠RF2之间且通过开关M2；第一分流路径是定义在埠RF1与地端GND之间且通过开关M3；第二分流路径是定义在埠RF2与地端GND之间且通过开关M4。

其中，开关M1-M4可以是金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)，具有各自的源/漏极区(未特别标明于图1)和栅极控制端105(1)-105(4)。开关M1-M4亦可为双极性晶体管或其它晶体管组件（例如金属半导体场效应晶体管或高电子迁移率晶体管）。

图1中，RF切换器100亦包含电阻110(1)-110(4)以及阻隔电容120(1)-120(4)，其中电阻110(1)-110(4)是各自分别连接开关M1-M4中相对应的源/漏极区。