[发明专利]背板及其制造方法在审
申请号: | 201310371355.7 | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN103442324A | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 黄锦才 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H04R31/00 | 分类号: | H04R31/00;B81C1/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背板 及其 制造 方法 | ||
1.一种背板的制造方法,其特征在于,包括:
提供第一晶圆;
氧化所述第一晶圆,在所述第一晶圆表面形成氧化层;
提供第二晶圆;
通过所述氧化层使所述第二晶圆与所述第一晶圆贴合在一起;
对所述第二晶圆进行背面减薄;
图形化所述减薄后的第二晶圆,在所述减薄后的第二晶圆中形成多个贯穿孔,使所述贯穿孔露出所述氧化层;
去除所述氧化层和所述第一晶圆。
2.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述第一晶圆的材料为硅,所述第二晶圆的材料为硅,所述氧化层的材料为氧化硅。
3.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,通过所述氧化层将所述第二晶圆与所述第一晶圆贴合在一起的步骤包括:通过热键合的方式,使所述第二晶圆与所述氧化层贴合在一起,以实现第二晶圆与第一晶圆的贴合。
4.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,对所述第二晶圆进行背面减薄的步骤包括:减薄后的第二晶圆的厚度位于70~90微米的范围内。
5.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,图形化所述减薄后的第二晶圆的步骤包括:通过深反应离子蚀刻的方法图形化所述第二晶圆。
6.如权利要求5所述的制造方法,其特征在于,所述深反应离子蚀刻的步骤以所述氧化层作为蚀刻停止层。
7.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,所述贯穿孔的孔径在13~16微米的范围内,所述贯穿孔的孔间距位于在19~22微米的范围内。
8.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,对所述第二晶圆进行背面减薄的步骤包括:通过砂轮进行背面减薄。
9.如权利要求1所述的制造方法,其特征在于,去除所述氧化层和所述第一晶圆的步骤包括:通过大晃处理工艺进行去除。
10.一种背板,其特征在于,所述背板由权利要求1~9任意一权利要求所述制造方法形成。
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