[发明专利]背板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种用于微机电系统（Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS）麦克风的背板及其制造方法。

背景技术

随着科技的发展，手机等移动终端在人们日常生活中扮演着越来越重要的角色。而随着生活水平的逐步提高，人们对手机通话质量要求也越来越高，这对手机麦克风的技术提出了更高的要求。

手机麦克风通常采用的是MEMS麦克风技术，在专利申请号为201010153495.3的中国专利申请中公开了现有技术一种MEMS麦克风技术。

参考图1，示出了所述中国专利申请中MEMS麦克风的结构示意图。所述MEMS麦克风包括：设有声学后腔6的基底1，与基底1相连的、设有声孔31的背板3，与所述背板3相对且位于所述背板3之间的振膜4，所述振膜4与所述背板3之间形成声学前腔5。MEMS麦克风工作时，声波通过所述声孔31可以到达振膜4，以便于将声音转换为电信号。

现有技术MEMS麦克风的制造方法通常是将振膜4与背板3一起进行制造，这使背板3只能适用于一种振膜，减弱了背板3的使用自由度。

此外，所述背板3中设置多个声孔31，由于所述背板3的厚度较小，同时由于所述声孔31的存在，所述背板3为一柔性背板。现有技术在背板3的制造过程中需要改变工艺方法、传输方法，以防止柔性背板的损伤，这使背板3的制造方法难以与现有半导体设备、半导体工艺实现较好地兼容，从而增加了制造难度。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种背板及其制造方法，以降低制造难度。

为解决上述问题，本发明提供一种背板的制造方法，包括：

提供第一晶圆；

氧化所述第一晶圆，在所述第一晶圆表面形成氧化层；

提供第二晶圆；

通过所述氧化层使所述第二晶圆与所述第一晶圆贴合在一起；

对所述第二晶圆进行背面减薄；

图形化所述减薄后的第二晶圆，在所述减薄后的第二晶圆中形成多个贯穿孔，使所述贯穿孔露出所述氧化层；

去除所述氧化层和所述第一晶圆。

可选地，所述第一晶圆的材料为硅，所述第二晶圆的材料为硅，所述氧化层的材料为氧化硅。

可选地，通过所述氧化层将所述第二晶圆与所述第一晶圆贴合在一起的步骤包括：通过热键合的方式，使所述第二晶圆与所述氧化层贴合在一起，以实现第二晶圆与第一晶圆的贴合。

可选地，对所述第二晶圆进行背面减薄的步骤包括：减薄后的第二晶圆的厚度位于70～90微米的范围内。

可选地，图形化所述减薄后的第二晶圆的步骤包括：通过深反应离子蚀刻的方法图形化所述第二晶圆。

可选地，所述深反应离子蚀刻的步骤以所述氧化层作为蚀刻停止层。

可选地，所述贯穿孔的孔径在13～16微米的范围内，所述贯穿孔的孔间距位于在19～22微米的范围内。

可选地，对所述第二晶圆进行背面减薄的步骤包括：通过砂轮进行背面减薄。

可选地，去除所述氧化层和所述第一晶圆的步骤包括：通过大晃处理工艺进行去除。

相应地，本发明还提供一种背板，所述背板由所述制造方法形成。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：在所述背板制造方法中，第一晶圆为第二晶圆提供支撑作用，可以减少第二晶圆在厚度减薄、形成贯穿孔等步骤中被损伤的几率。因而，在厚度减薄、形成贯穿孔等步骤中无需为避免第二晶圆的损伤而改变工艺条件，降低了背板的制造难度。

附图说明

图1是现有技术一种MEMS麦克风的结构示意图；

图2是本发明背板制造方法一实施例的流程示意图；

图3至图11是本发明背板制造方法一实施例形成的背板的结构示意图。

具体实施方式

现有技术MEMS麦克风的背板较薄，且所述背板中设置有多孔，背板较为柔软，容易在制造过程中损伤，对现有背板制造方法提出了更高的要求。

为了解决所述技术问题，本发明提供一种背板的制造方法。参考图2，示出了本发明背板制造方法一实施例的流程示意图。所述制造方法大致包括以下步骤：

步骤S1，提供第一晶圆；

步骤S2，氧化所述第一晶圆，在所述第一晶圆表面形成氧化层；

步骤S3，提供第二晶圆；

步骤S4，通过所述氧化层使所述第二晶圆与所述第一晶圆贴合在一起；

步骤S5，对所述第二晶圆进行背面减薄；