[发明专利]一种光掩模及光掩模套刻精度的监测方法有效
申请号: | 201310371397.0 | 申请日: | 2013-08-23 |
公开(公告)号: | CN104423144B | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 李晓梅 | 申请(专利权)人: | 上海凸版光掩模有限公司 |
主分类号: | G03F1/44 | 分类号: | G03F1/44 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200233 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光掩模 光掩模套刻 精度 监测 方法 | ||
1.一种光掩模套刻精度的监测方法,其特征在于,至少包括以下步骤:
1)提供一包括图形区域及外围区域的光掩模,至少于所述外围区域四个角落的预设中心坐标制作标记图形,其中,所述标记图形由两个垂直相交的横向矩形与纵向矩形组成;
2)测量各该标记图形的实际中心坐标,并计算出各该标记图形的实际中心坐标与预设中心坐标的偏移量;
步骤2)包括以下步骤:
2-1)设置与所述横向矩形垂直相交的纵向测试框及与所述纵向矩形垂直相交的横向测试框,并设定所述横向测试框的纵向中垂线及所述纵向测试框的横向中垂线的交点坐标为测试中心坐标;
2-2)将所述测试中心坐标移动至任一标记图形的预设中心坐标的位置;
2-3)采用摄像设备获得所述横向测试框及所述纵向测试框中的光强分布,依据该光强分布获得所述标记图形的实际中心坐标;
2-4)计算出所述标记图形的实际中心坐标与预设中心坐标的偏移量。
2.根据权利要求1所述的光掩模套刻精度的监测方法,其特征在于:所述光掩模由透光层及结合于所述透光层表面的遮光层组成,所述标记图形为去除了部分遮光层所形成的透光图形。
3.根据权利要求1所述的光掩模套刻精度的监测方法,其特征在于:所述横向矩形与纵向矩形的中心重合,且所述横向矩形与纵向矩形的尺寸相同。
4.根据权利要求1所述的光掩模套刻精度的监测方法,其特征在于:所述横向矩形的宽度为100~300um,高度为2~20um,所述纵向矩形的宽度为2~20um,高度为100~300um。
5.根据权利要求1所述的光掩模套刻精度的监测方法,其特征在于:所述标记 图形距离所述光掩模的任一边界的水平距离和垂直距离均不小于5mm。
6.根据权利要求1所述的光掩模套刻精度的监测方法,其特征在于:还包括步骤2-5),依据步骤2-1)~2-4)计算出所有标记图形的实际中心坐标与预设中心坐标的偏移量。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海凸版光掩模有限公司,未经上海凸版光掩模有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310371397.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备