[发明专利]一种光掩模及光掩模套刻精度的监测方法

说明书

本发明提供一种光掩模及光掩模套刻精度的监测方法，所述监测方法包括步骤：1）提供一包括图形区域及外围区域的光掩模，至少于所述外围区域四个角落的预设中心坐标制作标记图形，其中，所述标记图形由两个垂直相交的横向矩形与纵向矩形组成；2）测量各该标记图形的实际中心坐标，并计算出各该标记图形的实际中心坐标与预设中心坐标的偏移量。本发明可以有效提高套刻精度监测的简易度、降低监测的出错概率、缩短工作周期；图形标记放置在光掩模板子的四个角上，远离光刻的主图形，既能很好的监测位置精度，又不会对光刻的主图形有任何影响。本发明步骤简单实用，适用于生产监测。

技术领域

本发明属于半导体制造领域，特别是涉及一种光掩模及光掩模套刻精度的监测方法。

背景技术

在半导体工艺中，光刻是至关重要的一步，通过光刻的对准、曝光等一系列步骤，能够实现将掩模图形转移到晶圆上的工艺过程。通常，在形成半导体芯片的过程中，需要进行多层光刻工艺才能完成整个制造过程。这就使得当前光刻图形与前层光刻图形的位置对准变得尤为重要。套刻精度就是指晶圆的层与层的光刻图形的位置对准误差。

光掩模有位置精度的指标。现有的光掩模产品测量位置精度的标记图形一般是由客户在光掩模图形中人工查找符合条件的标记，然后将其坐标提供给光掩模生产厂商。再由生产厂商在把这些坐标换算后，设置测量程式后进行测量。这种流程存在以下缺点：

1）部分光掩模上无符合测量条件的标记图形而导致位置精度指标无法监测；

2）不同客户提供标记坐标的坐标系和倍率不尽相同，对光掩模生产厂商的换算带来困扰；

3）由于每套光掩模的标记图形都不同，生产人员需要对每套产品进行坐标换算并手动更改测量程式。延长了生产周期，增大了出错概率；

4）客户提供的标记坐标是由人工查找，存在错误的概率(坐标错误，或者标记不符合测量标准)。光掩模生产人员在测量时发现问题，提交给数据部门确认，数据部确认存在问题，再由客户服务部与客户沟通后才能解决。延长了生产周期，增加了各部门的工作量。

因此，提供一种符合套刻精度要求的光掩模及监测方法实属必要。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种光掩模及光掩模套刻精度的监测方法，用于解决现有技术中光掩模套刻精度的监测工艺困难而导致监测不便等问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种光掩模套刻精度的监测方法，至少包括以下步骤：

1）提供一包括图形区域及外围区域的光掩模，至少于所述外围区域四个角落的预设中心坐标制作标记图形，其中，所述标记图形由两个垂直相交的横向矩形与纵向矩形组成；

2）测量各该标记图形的实际中心坐标，并计算出各该标记图形的实际中心坐标与预设中心坐标的偏移量。

作为本发明的光掩模套刻精度的监测方法的一种优选方案，所述光掩模由透光层及及结合于所述透光层表面的遮光层组成，所述标记图形为去除了部分遮光层所形成的透光图形。

作为本发明的光掩模套刻精度的监测方法的一种优选方案，所述横向矩形与纵向矩形的中心重合，且所述横向矩形与纵向矩形的尺寸相同。

作为本发明的光掩模套刻精度的监测方法的一种优选方案，所述横向矩形的宽度为100～300um，高度为2～20um，所述纵向矩形的宽度为2～20um，高度为100～300um。

作为本发明的光掩模套刻精度的监测方法的一种优选方案，所述图形标记距离所述光掩模的任一边界的水平距离和垂直距离均不小于5mm。

作为本发明的光掩模套刻精度的监测方法的一种优选方案，步骤2）包括以下步骤：