[发明专利]一种散射条模拟成像的检测方法在审
申请号: | 201310378941.4 | 申请日: | 2013-08-27 |
公开(公告)号: | CN104423172A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 张婉娟;黄宜斌 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F1/36 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 散射 模拟 成像 检测 方法 | ||
1.一种散射条模拟成像的检测方法,包括:
步骤(a)制备掩膜版OPC模型,所述掩膜版OPC模型中包括目标图案以及散射条图案;
步骤(b)将所述掩膜版OPC模型中位于光刻胶中部的焦点图像平面调整至所述光刻胶顶部的图像平面,形成散射条OPC模型;
步骤(c)对所述散射条OPC模型进行模拟曝光,以对所述散射条轮廓进行模拟成像,并进行相应的检测。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(a)之前还包括以下步骤:
收集位于所述光刻胶中部的焦点图像平面上的所述目标图案的数据;
基于获得的所述数据建立所述掩膜版OPC模型。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述步骤(b)之后还进一步包括以下步骤:
收集位于所述光刻胶顶部的图像平面上的所述散射条的数据,并根据所述数据对所述散射条OPC模型进行修正。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(c)之后还包括以下步骤:
对所述散射条OPC模型进行模拟曝光时,将模拟过程中所述散射条出现成像现象时的模拟曝光量和真实晶圆曝光过程中所述散射条出现成像现象时的真实晶圆曝光量之间建立关联。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,通过所述散射条的测试图案建立所述关联。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(a)中掩膜版OPC模型包括依次沉积的底部抗反射层、光刻胶层和顶部覆盖层。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述步骤(b)中将所述掩膜版OPC模型中位于光刻胶中部的焦点图像平面调整至所述光刻胶层和所述顶部覆盖层之间的界面处。
8.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述步骤(c)还包括:根据所述掩膜版OPC模型对目标图案进行模拟,根据模拟结果对所述目标图案的成像进行监控。
9.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述散射条设置于所述目标图案的周围,以提高图形对比度。
10.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述散射条的形状为矩形、方形和不规则图形中的一种或者多种。
11.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(c)中对所述散射条OPC模型进行过度曝光,以对所述散射条进行模拟成像。
12.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述步骤(b)中散射条OPC模型仅用于对所述散射条的轮廓进行模拟成像。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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