[发明专利]一种散射条模拟成像的检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种散射条模拟成像的检测方法。

背景技术

集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸（critical dimension，CD），随着关键尺寸的缩小，甚至缩小至纳米级，而正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。

光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对与其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是由于半导体器件尺寸的缩小，在将图案转移到硅片的过程中会发生失真现象，如果不消除这种失真现象会导致整个制造技术的失败。因此，为了解决所述问题可以对所述掩膜版进行光学临近修正（Optical Proximity Correction,OPC），所述OPC方法即为对所述光刻掩膜版进行光刻前预处理，进行预先修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应。

在OPC过程中为了增加图案的对比度，通常在掩膜版上形成目标图案以及散射条（scattering bar，sbar），其中所述sbar是对目标图案产生光学临近效应的周围图形，在曝光后并不形成于所述晶圆上，所述sbar例如选用各种长条、方框等。现有技术中通常在光刻胶层中部选取图像平面（image plane）来收集晶片的数据，从而对目标图案（main pattern）的OPC模型（model）进行校准，然后利用该校准后的模型在正常情况下对目标图案（main pattern）进行曝光模拟，以及在过度曝光情况下对所述sbar进行模拟。但是由于所述sbar具有更小的尺寸，其光刻胶层中的光强度（light intensity）远远小于所述目标图案（main pattern）的光强度（light intensity），所述sbar大都仅仅成像于所述光刻胶层的顶部，而常规的OPC模板的图像平面（image plane）位于所述光刻胶层的中部，不能够很准确的检测散射条成像（sbar printing），从而很有可能将所述sbar形成于所述晶圆上，造成器件失效，引起产品良率降低。

因此，虽然现有技术中存在对所述主图形的OPC模型以及sbar进行数据采集以及进行模拟的平面图像，但是所述平面图像位于所述光刻胶层的中部，虽然能很好地模拟主图形（main pattern），但是由于sbar具有小的尺寸以及成像于光刻胶上层，不能对所述sbar进行很准确的模拟，所以需要对目前的方法进行改进，以消除上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种散射条模拟成像的检测方法，所述方法包括以下步骤：

步骤（a）制备掩膜版OPC模型，所述掩膜版OPC模型中包括目标图案以及散射条图案；

步骤（b）将所述掩膜版OPC模型中位于光刻胶中部的焦点图像平面调整至所述光刻胶顶部的图像平面，形成散射条OPC模型；

步骤（c）对所述散射条OPC模型进行模拟曝光，以对所述散射条轮廓进行模拟成像，并进行相应的检测。

作为优选，所述步骤（a）之后还进一步包括以下步骤：

收集位于所述光刻胶中部的焦点图像平面上的所述目标图案的数据；

根据获得的所述数据建立掩膜版OPC模型。

作为优选，所述步骤（b）之后还进一步包括以下步骤：

收集位于所述光刻胶顶部的图像平面上的所述散射条的数据，并根据所述数据对所述散射条OPC模型进行修正。

作为优选，所述步骤（c）之后还包括以下步骤：

对所述散射条OPC模型进行模拟曝光时，将模拟过程中所述散射条出现成像现象时的模拟曝光量和真实晶圆曝光过程中所述散射条出现成像现象时的真实晶圆曝光量之间建立关联。

作为优选，通过所述散射条的测试图案建立所述关联。

作为优选，所述步骤（a）中掩膜版OPC模型包括依次沉积的底部抗反射层、光刻胶层和顶部覆盖层。