[发明专利]小尺寸低功耗的抗单离子辐照锁存器

权利要求书

1.一种小尺寸低功耗的抗单离子辐照锁存器，由2个开关、三个反相器构成，第一个开关经第一个反相器连接到第二个反相器，第一个开关经第二个开关、第三个反相器连接到第二个反相器，第一个反相器中PMOS型晶体管的栅极命名为E节点，第一个反相器中NMOS型晶体管的栅极命名为F节点，第三个反相器中PMOS型晶体管的栅极命名为G节点，第三个反相器中NMOS型晶体管的栅极命名为H节点，其特征是，在节点X和节点E之间增加一个PMOS型晶体管，所述一个PMOS型晶体管的源极接在节点X，所述一个PMOS型晶体管的漏极接节点E，所述一个PMOS型晶体管的栅极接地。在节点X和节点F之间增加一个NMOS型晶体管，所述一个NMOS型晶体管的源极接在节点X，所述一个NMOS型晶体管的漏极接在节点F，所述一个NMOS型晶体管的栅极接地；在节点Y和节点G之间增加另一个PMOS型晶体管，所述另一个PMOS型晶体管的源极接在节点Y，所述另一个PMOS型晶体管的漏极接G节点，所述另一个PMOS型晶体管的栅极接地；在节点Y和节点H之间增加另一个NMOS型晶体管，所述另一个NMOS型晶体管的源极接在节点Y，所述另一个NMOS型晶体管的漏极接H节点，所述另一个NMOS型晶体管的栅极接地。

2.如权利要求1所述的小尺寸低功耗的抗单离子辐照锁存器，其特征是，晶体管PM1和PM3的宽为0.8-1.0um，晶体管PM1和PM3的长为0.18-0.20um；晶体管NM1和NM3的宽为0.4-0.5um，晶体管NM1和NM3的长为0.18-0.20um；晶体管PM4、PM5、NM4和NM5的宽为0.18-0.20um，晶体管PM4、PM5、NM4和NM5的长为0.8-1.0um。

3.如权利要求1所述的小尺寸低功耗的抗单离子辐照锁存器，其特征是，晶体管PM1和PM3最佳宽长比为0.18/0.8；晶体管NM1和NM3的最佳宽长比为0.4/0.18；晶体管PM4、PM5，晶体管NM4和NM5的最佳宽长比均为0.18/0.8。