[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

权利要求书

1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：

离子源，生成离子并作为离子束引出；

注入处理室，用于向被处理物注入所述离子；

射束线装置，提供用于从所述离子源向所述注入处理室输送所述离子束的射束线；及

控制部，具备包括第1注入设定结构及第2注入设定结构的多个注入设定结构，并根据注入条件选择多个注入设定结构中的任一个结构，在所选择的注入设定结构下控制离子注入装置，其中，第1注入设定结构适合输送用于向所述被处理物进行高剂量注入的低能量/高电流射束，第2注入设定结构适合输送用于向所述被处理物进行低剂量注入的高能量/低电流射束，所述射束线装置具备扫描所述离子束的离子束扫描装置，以供给在所述注入处理室具有超过所述被处理物的宽度的射束照射区域的所述离子束，

所述注入处理室具备机械式扫描装置，该机械式扫描装置对所述射束照射区域机械式地扫描所述被处理物，

所述射束线装置构成为，在所述第1注入设定结构及所述第2注入设定结构中，所述射束线中的成为基准的射束中心轨道从所述离子源到所述注入处理室相同，

所述第1注入设定结构包括决定以下控制的组合的设定，包括在与所述射束中心轨道垂直的射束扫描方向上扫描所述离子束的所述射束扫描装置的控制和在与所述射束中心轨道以及所述射束扫描方向垂直的机械扫描方向上机械式地扫描所述被处理物的所述机械式扫描装置的控制，

所述第2注入设定结构包括决定以下控制的组合的设定，包括在所述射束扫描方向上扫描所述离子束的所述射束扫描装置的控制和在所述机械扫描方向上机械式地扫描所述被处理物的所述机械式扫描装置的控制。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述射束线装置在所述第1注入设定结构和所述第2注入设定结构下采用相同的注入方式。

3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述射束照射区域在所述第1注入设定结构和所述第2注入设定结构下相同。

4.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述射束线装置具备调整所述离子束的射束调整装置和对所述离子束进行整形的射束整形装置，

所述射束线装置在所述第1注入设定结构和所述第2注入设定结构下，以相同的布局配置所述射束调整装置及所述射束整形装置。

5.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子注入装置在所述第1注入设定结构和所述第2注入设定结构下具有相同的设置占地面积。

6.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述射束线装置具备用于调整所述离子束的射束电流的总量的射束电流调整系统，

所述第1注入设定结构包含用于所述射束电流调整系统的第1射束电流设定，所述第2注入设定结构包含用于所述射束电流调整系统的第2射束电流设定，并且被定为所述第2射束电流设定下的所述离子束的射束电流小于所述第1射束电流设定下的所述离子束的射束电流。

7.根据权利要求6所述的离子注入装置，其特征在于，

所述射束电流调整系统构成为通过有关调整要件时，切断所述离子束的至少一部分。

8.根据权利要求6所述的离子注入装置，其特征在于，

所述射束电流调整系统具备配设在所述射束线上的宽度可变孔径。

9.根据权利要求6所述的离子注入装置，其特征在于，

所述射束电流调整系统具备射束线末端开口宽度可变狭缝装置。

10.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子源构成为调整所述离子束的射束电流的总量。

11.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子源具备用于引出所述离子束的引出电极，通过调整所述引出电极的开口来调整所述离子束的射束电流的总量。