[发明专利]晶圆级封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底具有正面和背面，在所述正面中形成有层间介质层和位于层间介质层上的焊垫；

在所述基底的背面形成第一通孔，所述第一通孔露出层间介质层；在所述基底的背面形成第一通孔的方法包括：使用光刻、刻蚀工艺，在所述基底背面形成第一开口，所述第一开口露出层间介质层，所述第一开口的侧壁垂直于基底的背面；刻蚀基底的背面和第一开口侧壁形成第一通孔，所述第一通孔侧壁与基底背面之间的夹角大于90°；

在所述基底的背面和第一通孔侧壁形成聚合物层；

刻蚀所述层间介质层，在刻蚀层间介质层的过程还刻蚀去除聚合物层，在刻蚀所述层间介质层的过程中，基底的背面和第一通孔的侧壁由于受到聚合物层的保护而不会遭到损伤；

重复在基底的背面和第一通孔侧壁形成聚合物层，和刻蚀层间介质层，在刻蚀层间介质层的过程还刻蚀去除聚合物层的步骤，至焊垫露出停止，形成第二通孔；

在基底的背面和第一通孔侧壁形成聚合物层的方法包括：

使用第一碳氟气体刻蚀所述基底的背面和第一通孔侧壁，在刻蚀过程中第一碳氟气体等离子体化后的等离子体与基底的材料反应生成聚合物层，所述聚合物层覆盖基底的背面和第一通孔侧壁。

2.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述层间介质层为氧化硅层，或者所述层间介质层为氧化硅层、和位于氧化硅层上的氮化硅层的叠层结构，或者所述层间介质层为氧化硅层、位于氧化硅层上的氮化硅层、和位于氮化硅层上的氧化硅层的叠层结构。

3.如权利要求2所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在刻蚀所述层间介质层的过程中，使用的刻蚀气体为第二碳氟气体，第二碳氟气体分子中碳与氟的比例，小于第一碳氟气体分子中碳与氟的比例。

4.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一碳氟气体为C₄F₈、C₄F₆、C₅F₈中的一种或多种。

5.如权利要求3所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第二碳氟气体为CF₄、CHF₃中的一种或多种。

6.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一碳氟气体的刻蚀环境中的偏置功率小于刻蚀所述层间介质层过程中的偏置功率。

7.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，所述第一碳氟气体的刻蚀环境中，偏置功率的范围为0～1000W。

8.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，刻蚀所述层间介质层的过程中，偏置功率的范围为1000～2500W。

9.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，刻蚀基底的背面和第一开口侧壁形成第一通孔的过程中，使用的刻蚀气体包括SF₆和C₄F₈。

10.如权利要求1所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在形成所述第二通孔后，还包括：

在所述基底背面、以及第二通孔的侧壁上形成第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上和第二通孔底部形成再布线；

在所述再布线上形成第二绝缘层，所述第二绝缘层填充满第二通孔；

在所述第二绝缘层中形成第二开口，所述第二开口露出再布线；

在所述第二开口中形成焊球。

11.如权利要求10所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述第一绝缘层上和第二通孔底部形成再布线的方法包括：

形成再布线材料层，所述再布线材料层覆盖所述基底背面上的第一绝缘层以及第二通孔底部、第二通孔中的第一绝缘层侧壁；

对所述再布线材料层进行图形化，形成多个相互隔开的再布线。

12.如权利要求10所述的晶圆级封装方法，其特征在于，在所述第二开口中形成焊球之前，在所述第二开口的底部和侧壁形成凸点底部金属层。