[发明专利]一种C/C-SiC复合材料的制备方法

权利要求书

1.一种C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于包括下述步骤：

步骤一

将密度为0.4～0.55g/cm³的碳毡置于浸渍剂中进行第一次浸渍后，在保护气氛下，进行固化处理和碳化处理；第一次浸渍是先在≤0.001MPa的条件下进行真空浸渍1～1.5小时，然后在2～3MPa下进行加压浸渍2～3小时；所述浸渍剂按质量份数计包括：热塑性酚醛树脂10份、六次甲基四胺0.6～1份、乙醇106～110份；

步骤二

重复进行浸渍、固化处理、碳化处理，直至获得密度为1.2～1.3g/cm3的C/C多孔预制体；重复浸渍时，所用浸渍剂按质量份数计包括：热塑性酚醛树脂10份、六次甲基四胺1.05～1.6份、乙醇21.2～22份；

步骤三

将步骤二所得C/C多孔预制体置于含有机硅的浸渍剂中进行浸渍后，在保护气氛下进行固化处理，经过2～3次浸渍、固化后，在保护气氛下进行一次裂解，重复上述操作直至获得密度为1.9～2.1g/cm³的C/C-SiC复合材料；所述含有机硅的浸渍剂由苯胺与聚甲基氢硅烷按质量比苯胺：聚甲基氢硅烷=1～2：5混合组成。

2.根据权利要求1所述的一种C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于，步骤二中，重复浸渍时，每次先在≤0.001MPa的条件下进行真空浸渍1～1.5小时，然后在1～1.5MPa下进行加压浸渍2～3小时。

3.根据权利要求1所述的一种C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于:步骤一、二中，所述固化处理的温度为200～400℃；所述碳化处理的温度为800℃～1000℃。

4.根据权利要求1所述的一种C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于:步骤一、二中，每次固化处理的时间为5～10小时、每次碳化处理的时间为1.5～2小时。

5.根据权利要求1所述的一种C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于:步骤三中，所述聚甲基氢硅烷的分子量为1200～1400。

6.根据权利要求1所述的一种C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于:步骤三中，所述浸渍是：先在≤0.001MPa的条件下进行真空浸渍，然后在1～1.5MPa下进行高压浸渍；每次真空浸渍的时间为1～1.5h小时、每次高压浸渍的时间为1～2小时。

7.根据权利要求1所述的一种C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于:步骤三中，固化处理的温度为300℃～400℃，每次固化处理的时间为2～4小时。

8.根据权利要求1所述的一种C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于:步骤三中，裂解的温度为1000℃～1300℃，每次裂解的时间为1～1.5小时。

9.根据权利要求1所述的一种C/C-SiC复合材料的制备方法，其特征在于:所制备的C/C-SiC复合材料中，SiC的质量与C/C-SiC复合材料总质量的比值为0.3～0.4:1。