[发明专利]半导体装置的制造方法以及制造装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，具备：

对第一及第二碳化硅基板分别注入杂质的工序；

对所述第一碳化硅基板的一个面以及所述第二碳化硅基板的一个面涂敷有机溶液的工序；

在非活性气体气氛中，在将所述第一及第二碳化硅基板排列成所述第一碳化硅基板的所述一个面与所述第二碳化硅基板的另一个面对置的状态下对所述有机溶液进行加热，由此使溶质的一部分从所述有机溶液气化，使气化后的所述溶质附着到所述第二碳化硅基板的另一个面上，在所述第一及第二碳化硅基板的所述一个面上以及所述另一个面上形成碳层的工序；

使所述杂质活化的工序；以及

去除所述碳层的工序。

2.一种半导体装置的制造方法，具备：

对碳化硅基板注入杂质的工序；

对所述碳化硅基板的一个面涂敷有机溶液的工序；

通过在非氧化性气氛中对所述有机溶液进行加热，在所述碳化硅基板的所述一个面上以及另一个面上形成碳层的工序；以及

使所述杂质活化的工序。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，

在形成所述碳层的工序中，使多枚所述碳化硅基板排列成某个所述碳化硅基板的所述一个面与相邻的所述碳化硅基板的所述另一个面对置。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，

在形成所述碳层的工序中，在离开所述碳化硅基板的位置对有机溶液进行加热，使所述有机溶液的溶质气化，将气化后的所述溶质向所述碳化硅基板供给。

5.根据权利要求2或3所述的半导体装置的制造方法，

还具备对所述另一个面形成沟槽的工序。

6.一种半导体装置的制造方法，具备：

对碳化硅基板注入杂质的工序；

通过将从有机溶液气化后的溶质向所述碳化硅基板供给来形成碳层的工序；以及

使所述杂质活化的工序。

7.一种半导体装置的制造装置，具备：

腔室，被装入碳化硅基板，且内部成为非氧化性气氛，该碳化硅基板是注入有杂质且一个面被涂覆了有机溶液的碳化硅基板；和

加热器，被设在所述腔室内，通过对所述有机溶液进行加热，在所述碳化硅基板的所述一个面上以及另一个面上形成碳层。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造装置，

还具备晶舟，该晶舟被设在所述腔室内，将多枚所述碳化硅基板保持成某个所述碳化硅基板的所述一个面与相邻的所述碳化硅基板的所述另一个面对置。

9.根据权利要求7或8所述的半导体装置的制造装置，

还具备在所述腔室的外部使有机溶液的溶质气化来向所述腔室内供给的溶质供给单元。

10.一种半导体装置的制造装置，具备：

腔室，被装入注入有杂质的碳化硅基板，且内部成为非氧化性气氛；和

溶质供给单元，在所述腔室的外部使有机溶液的溶质气化来向所述腔室内供给。