[发明专利]贴合装置和贴合处理方法有效
申请号: | 201310741286.4 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103915365A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 林航之介;松井绘美 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦振 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 贴合 装置 处理 方法 | ||
1.一种用于处理被保持的基板的贴合装置,包括:
主体单元;
喷嘴,所述喷嘴在所述主体单元的保持第一基板的这一侧的面上敞开;
气体供应单元,所述气体供应单元被构造成对所述喷嘴供应气体,以对所述第一基板施加吸力并将所述基板与所述主体单元的所述面分离;和
基板支撑单元,所述基板支撑单元被构造成支撑以预定间隙与所述第一基板相对设置的第二基板的周缘部。
2.根据权利要求1所述的贴合装置,其中所述气体供应单元包括流量控制单元,所述流量控制单元被构造成控制气体的流量,且
所述流量控制单元根据所述第一基板的形状控制气体的流量。
3.根据权利要求2所述的贴合装置,其中所述喷嘴被设置为多个,和
所述流量控制单元控制所述多个喷嘴的每个喷嘴中的气体流量和/或所述多个喷嘴的每组喷嘴中的气体流量。
4.根据权利要求1所述的贴合装置,其中所述气体供应单元通过将气体供应到所述喷嘴产生气旋效应和伯努利效应中的至少一个。
5.根据权利要求1所述的贴合装置,其中所述第一基板和所述第二基板中的至少一个是硅晶圆。
6.根据权利要求1所述的贴合装置,进一步包括测量所述第一基板的变形状态的测量单元。
7.根据权利要求1所述的贴合装置,进一步包括按压单元,所述按压单元按压所述第二基板且使得所述第一基板的一部分与所述第二基板的一部分接触,且所述按压单元控制按压力,使得所述第一基板不与所述主体单元的所述面接触。
8.一种用于处理被保持的基板的贴合处理方法,包括:
通过对在主体单元的保持第一基板的这一侧的面上敞开的喷嘴供应气体而对第一基板施加吸力且将所述第一基板与主体单元的所述面分离,
根据所述第一基板的形状控制气体的流量;以及
贴合第一基板和与所述第一基板相对设置的第二基板。
9.根据权利要求8所述的贴合处理方法,其中所述喷嘴被设置为多个,且
在根据所述第一基板的形状控制气体的流量的步骤中,对所述多个喷嘴的每个喷嘴中的气体流量和/或所述多个喷嘴的每组喷嘴中的气体流量进行控制。
10.根据权利要求8所述的贴合处理方法,其中,在对第一基板施加吸力且将所述第一基板与主体单元的所述面分离的步骤中,通过对在主体单元的保持第一基板的这一侧的面上敞开的喷嘴供应气体来产生气旋效应和伯努利效应中的至少一个。
11.根据权利要求8所述的贴合处理方法,其中所述第一基板和所述第二基板中的至少一个是硅晶片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造