[发明专利]贴合装置和贴合处理方法有效
申请号: | 201310741286.4 | 申请日: | 2013-12-27 |
公开(公告)号: | CN103915365A | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 林航之介;松井绘美 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦振 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 贴合 装置 处理 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请基于2012年12月28日提交的日本专利申请No.2012-287536,且要求其优先权,其全部内容通过参考在此并入。
技术领域
这里描述的本发明的实施例涉及贴合装置和贴合处理方法。
背景技术
在用于制造诸如半导体装置和平板显示器的电子装置的贴合装置中,利用设置在安装平台上的静电卡盘或真空卡盘吸引且保持基板(例如,见专利文献1)。
然而,当使用设置在安装平台上的静电卡盘或真空卡盘将基板吸引到安装平台的安装面时,基板被吸引且保持以便与安装面的形状一致。
因此,存在基板将变形成不适于处理的形状的可能性。特别地,如果基板的厚度小,诸如硅晶片等,安装面的条件的影响变得显著。
而且,如果基板被变形成不适于处理的形状,例如,在基板贴合处理中存在基板将在与适当位置偏离的位置被贴合的可能性。
而且,基板与安装平台的安装面接触,从而有损坏基板和产生颗粒的可能性。
引用文献列表
专利文献
专利文献1:JP特开2012-156163A
发明内容
根据一个实施例,一种用于处理被保持的基板的贴合装置,包括:主体单元、喷嘴、气体供应单元和基板支撑单元。所述喷嘴在所述主体单元的保持第一基板的这一侧的面上敞开。所述气体供应单元被构造成对所述喷嘴供应气体,以对所述第一基板施加抽吸和将所述基板与所述主体单元的面分离。所述基板支撑单元被构造成支撑以预定间隙与所述第一基板相对设置的第二基板的周缘部。
附图说明
图1是用于示出根据本实施例的贴合装置1的示意图;
图2是用于示出喷嘴12a2的布局的示意图;
图3A和图3B是用于示出喷嘴12a2的动作的示意图;
图4A至图4H是用于示出贴合装置1的动作的示意处理图;和
图5A至图5D也是用于示出贴合装置1的动作的示意处理图。
具体实施方式
将参考附图描述实施例。注意相同附图标记用于附图中的同样构成元件,这种构成元件的详细描述被适当省略。
图1是用于示出根据本实施例的贴合装置1的示意图。
图1示出将两个基板的贴合面贴合在一起以生产单个基板的贴合装置1。
贴合装置1可直接贴合例如两个硅晶片。
如图1所示,处理容器11、基板保持单元12、基板支撑单元13、按压单元14、排气单元15、测量单元16和检测单元17被设置在贴合装置1中。
处理容器11具有能够维持低于大气压的氛围的气密结构。用于输入和输出基板W1(对应于第一基板的一个示例)和基板W2(对应于第二基板的一个示例)的开口11a和能够以气密方式打开和关闭开口11a的门11b被设置在处理容器11的侧壁中。而且,开口11c被设置在处理容器11的底部中以用于排出处理容器11中的空气。
保持待贴合的第一基板W1的基板保持单元12被设置在处理容器11内。
基板保持单元12将基板W1保持在悬浮状态。
主体单元12a和气体供应单元12b被设置在基板保持单元12中。
主体单元12a是圆柱形状且包括在保持基板W1侧的面12a1上敞开的喷嘴12a2。
图2是用于示出喷嘴12a2的布局的示意图。
此外,图2是从图1的线A-A的箭头方向看的图。
如图2所示,喷嘴12a2被设置在面12a1的与基板W1的中央区域相对的区域12a1a、面12a1的与基板W1的周缘区域相对的区域12a1b和面12a1的与基板W1的中央区域和周缘区域之间的区域相对的区域12a1c中。
喷嘴12a2的布局和数量不限于示出的,而是可以适当改变。例如,喷嘴12a2可被集中布置在基板W1可能容易翘曲的区域或必须使基板W1变形的区域中。
而且,如图1所示,流动通道12a3的第一端被连接到喷嘴12a2。流动通道12a3的第二端被连接到开关阀12b4。
后面描述喷嘴12a2的动作的细节。
气体供应单元12b将气体供应到喷嘴12a2,且通过产生至少气旋效应和伯努利效应之一来对基板W1施加吸力,且使基板W1与主体单元12a的面12a1分离。换言之,基板W1悬浮且被朝着主体单元12a的面12a1吸引。如果能够将基板W1与主体单元12a的面12a1分离,则基板W1不受面12a1的条件的影响,从而能够保持基板W1同时又保持基板W1处于适于处理的形状。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造