[实用新型]一种具有隔离层保护的发光二极管器件有效
申请号: | 201320030962.2 | 申请日: | 2013-01-18 |
公开(公告)号: | CN203179942U | 公开(公告)日: | 2013-09-04 |
发明(设计)人: | 程志坚 | 申请(专利权)人: | 深圳市斯迈得光电子有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/54 |
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地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 隔离 保护 发光二极管 器件 | ||
1.一种具有隔离层保护的发光二极管器件,其特征在于它包含衬底(1)、密封框(2)、发光单元(3)、密封层(4)和隔离层(5),衬底(1)上表面覆盖密封框(2),发光单元(3)设置在衬底(1)上的被密封框(2)包围的暴露部分,发光单元(3)的上方覆盖有密封层(4),密封层(4)的上方设置有隔离层(5)。
2.根据权利要求1所述一种具有隔离层保护的发光二极管器件,其特征在于所述的隔离层(5)采用塑料薄膜制成。
3.根据权利要求1所述一种具有隔离层保护的发光二极管器件,其特征在于所述的隔离层(5)采用塑料硬壳制成。
4.根据权利要求1所述一种具有隔离层保护的发光二极管器件,其特征在于所述的衬底(1)与密封框(2)一体成型,从而密封框(2)和衬底(1)总体上形成不可分割的部件。
5.根据权利要求1所述一种具有隔离层保护的发光二极管器件,其特征在于所述的密封层(4)采用硅树脂材料制成。
6.根据权利要求1所述一种具有隔离层保护的发光二极管器件,其特征在于所述的密封层(4)采用环氧树脂材料制成。
7.根据权利要求1或者权利要求5或者权利要求6所述一种具有隔离层保护的发光二极管器件,其特征在于所述的密封层(4)在其内部包括荧光体(6)。
8.根据权利要求1或者权利要求2或者权利要求3所述一种具有隔离层保护的发光二极管器件,其特征在于所述的隔离层(5)从密封层(4)上方延伸并且覆盖密封框(2)的上表面的一部分。
9.根据权利要求1或者权利要求2或者权利要求3所述一种具有隔离层保护的发光二极管器件,其特征在于所述的隔离层(5)从密封层(4)上方延伸并且覆盖密封框(2)的上表面的所有部分。
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