[实用新型]晶振式调频发射机有效

专利信息
申请号: 201320121197.5 申请日: 2013-03-18
公开(公告)号: CN203166883U 公开(公告)日: 2013-08-28
发明(设计)人: 龙宁 申请(专利权)人: 成都中远信电子科技有限公司
主分类号: H04B1/04 分类号: H04B1/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成都市高*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 晶振式 调频 发射机
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种发射机,特别是涉及一种晶振式调频发射机。

背景技术

频率调制又称调频,它是使高频振荡信号的频率按调制信号的规律变化(瞬时频率变化的大小与调制信号成线性关系),而振幅保持恒定的一种调制方式,调频方式很多,主要分为两大类:直接调频和间接调频方法,早期使用电抗调频,现在则主要是使用变容二极管调频法,目前已发展为利用锁相环调频法并进而成包含调频锁相环的数字式频率合成器。直接调频法就是将调制信号直接对载频进行调频的方法。这种方法的优点是可以在宽频带内进行调频,可以进行频偏位几兆赫的调频,因此倍频次数可以很少,它的缺点是由于使用自激振荡器,以及变容二极管参数的限制,频率的稳定性不好,容易出现频率漂移现象。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决上述问题而提供一种频率稳定性好、调频精确度高的晶振式调频发射机。

本实用新型是通过以下技术方案实现的:

一种晶振式调频发射机,包括音频放大电路、晶振振荡电路、倍频放大电路和调谐变压电路,所述音频放大电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一电容、第二电容和第一晶体管,所述第一电容的第一端为音频信号输入端,所述第一电容的第二端分别与所述第一电阻的第一端和所述第一晶体管的基极连接,所述第一电阻的第二端分别与所述第二电阻的第一端和第三电阻的第一端连接,所述第二电阻的第二端分别与所述第二电容的第一端和所述第一晶体管的集电极连接,所述第二电容的第二端分别与所述第三电阻的第二端和所述第四电阻的第一端连接,所述第四电阻的第二端与所述第一晶体管的发射极连接,所述晶振振荡电路包括第三电容、第五电阻、第六电阻、第八电阻、第二晶体管、二极管和晶振,所述第五电阻的第一端和所述第三电容的第一端连接,所述第五电阻的第一端分别与所述二极管的负极和所述晶振的第一端连接,所述晶振的第二端分别与所述第六电阻的第一端和所述第二晶体管的基极连接,所述第二晶体管的发射极与所述八电阻的第一端连接,所述第八电阻的第二端分别与所述所述第三电容的第二端和所述二极管的正极连接。

进一步地,所述倍频放大电路包括第四电容、第五电容、第八电容、第七电阻、第九电阻和第三晶体管,所述第四电容的第一端分别与所述第二晶体管的集电极和所述第七电阻的第一端连接,所述第七电阻的第二端与所述第九电阻的第一端连接,所述第四电容的第二端分别与所述第八电容的第一端和所述第五电容的第一端连接,所述第五电容的第二端与所述第三晶体管的发射极连接后接地,所述第八电容的第二端分别与所述第九电阻的第一端和所述第三晶体管的基极连接。

更进一步地,所述调谐变压电路包括第六电容、第七电容和变压器,所述第六电容的第一端与所述变压器的第一次绕组的第一端连接,所述第六电容的第二端与所述变压器的第一次绕组的第二端,所述变压器的第二次绕组的第一端与所述第七电容的第一端连接,所述第七电容的第二端和所述变压器的第二次绕组的第二端均接地。

本实用新型的有益效果是:

通过在本实用新型中采用晶振振荡电路,能够很好地解决直接调频发射机的频率漂移现象,本实用新型具有频率稳定性好和调频精确度高的优点。

附图说明

图1是本实用新型晶振式调频发射机的电路图。

具体实施方式

下面结合附图及具体实施例对本实用新型作进一步的详细说明:

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