[实用新型]静电保护电路及其电池保护电路

权利要求书

1.一种集成电路的静电保护电路，所述集成电路具有第一连接端和第二连接端，其特征在于，所述静电保护电路包括连接于第一连接端和第二连接端之间的静电保护器件，该静电保护器件包括P型衬底，沿所述P型衬底的上表面向下延伸至P型衬底中的N阱，位于所述P型衬底和所述N阱上的栅氧层，位于所述栅氧层上的栅极，沿所述P型衬底的上表面向下延伸至P型衬底中的第一P+有源区和第一N+有源区，沿所述N阱的上表面向下延伸至N阱中的第二P+有源区和第二N+有源区， 

其中，所述第一P+有源区和第一N+有源区相互间隔，且第一N+有源区紧邻所述栅氧层，所述第二P+有源区和第二N+有源区相互间隔，且所述第二P+有源区较第二N+有源区更接近所述栅氧层，N+有源区的N型掺杂浓度较N阱的N型掺杂浓度高， 

第一P+有源区、第一N+有源区和栅极与第二连接端相连，第二P+有源区和第二N+有源区与第一连接端相连。 

2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，其还包括连接于栅极与第一连接端的第一电阻。 

3.根据权利要求1或者2所述的静电保护电路，其特征在于，其特征在于，所述静电保护器件包括寄生NPN型双极晶体管和寄生PNP型双极晶体管， 

所述寄生NPN型双极晶体管包括第一N+有源区、P型衬底和N阱； 

所述寄生PNP型双极晶体管包括第二P+有源区、N阱和P型衬底。 

4.一种集成电路的静电保护电路，所述集成电路具有第一连接端和第二连接端，其特征在于，所述静电保护电路包括连接于第一连接端和第二连接端之间的静电保护器件，该静电保护器件包括P型衬底，沿所述P型衬底的上表面向下延伸至P型衬底中的N阱，沿所述P型衬底的的上表面向下延伸至P型衬底中的第一P+有源区和第一N+有源区，沿所述N阱的上表面向下延伸至N阱中的第二P+有源区和第二N+有源区， 

其中，所述第一P+有源区和第一N+有源区相互间隔；所述第二P+有源区和第二N+有源区相互间隔，且所述第二P+有源区较所述第二N+有源区距所述第一N+有源区更近，N+有源区的N型掺杂浓度较N阱的N型掺杂浓度高， 

其中，由第一P+有源区和第一N+有源区与第二连接端相连，第二P+有源区和第二N+有源区与第一连接端相连。 

5.根据权利要求1或4所述的静电保护电路，其特征在于，所述N阱为构成5V标准PMOS的衬体层次。 

6.一种电池保护电路，其包括与电池电芯负极连接的电池电芯负极连接端VSS和与电池电芯正极连接的电源端VDD， 

其特征在于，其还包括连接于电池电芯负极连接端VSS和电源端VDD之间的如权利要求1-5任一所述的静电保护电路，其中电源端VDD为第一连接端，电池电芯负极连接端VSS为第二连接端。 

7.根据权利要求6所述的电池保护电路，其特征在于，其包括内部电路和设置于电源端VDD和内部电路之间的限压电路，所述内部电路用于对电池电芯的充放电状态进行检测，并通过充电控制端输出充电控制信号，通过放电控制端输出放电控制信号，所述限压电路用于限定所述内部电路的工作电压小于等于一电压阈值。 

8.根据权利要求7所述的电池保护电路，其特征在于，所述限压电路的限压输出端通过电阻R4连接于电源端VDD，所述限压电路的限压输出端给内部电路提供电源。 

9.根据权利要求7或者8所述的电池保护电路，其特征在于，所述限压电路包括NMOS晶体管，该NMOS晶体管的漏极用作所述限压输出端VLIM，源极、栅极相连并接地。 

10.根据权利要求7或者8所述的电池保护电路，其特征在于，所述限压电路包括NMOS晶体管和运算放大器，所述NMOS晶体管的漏极用作所述限压输出端VLIM，源极接地；所述运算大器的正向输入端与所述NMOS晶体管的漏极相连，其负向输入端输入参考电压，其输出端与所述NMOS晶体管的栅极相连。