[实用新型]一种阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201320192794.7 | 申请日: | 2013-04-16 |
公开(公告)号: | CN203277383U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 郭霄;吕凤珍;储松南;张新霞;姜伟;向康 | 申请(专利权)人: | 合肥京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 230011 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括薄膜晶体管区和显示区,其特征在于,所述薄膜晶体管区包括薄膜晶体管和第一透明导电层,所述显示区包括第一透明电极,所述薄膜晶体管区第一透明导电层与所述显示区第一透明电极同层设置且两者互不连接,所述薄膜晶体管设置在所述薄膜晶体管区透明导电层上方。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管区还包括黑矩阵,所述黑矩阵设置在第一透明导电层和薄膜晶体管之间。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,还包括:第一钝化绝缘层,且
所述第一钝化绝缘层设于薄膜晶体管区第一透明导电层和显示区第一透明电极上。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括:栅极绝缘层、第二钝化绝缘层以及像素电极,
所述栅极绝缘层设于薄膜晶体管栅极下方;
所述薄膜晶体管栅极上方设有第二钝化绝缘层;
薄膜晶体管漏极上方的栅极绝缘层和第二钝化绝缘层中设有过孔;
所述像素电极设于第二钝化绝缘层上,且通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极连接。
6.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~5中任意一项的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的