[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型属于液晶显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)是一种重要的平板显示设备。根据驱动液晶的电场方向，可以分为垂直电场型和水平电场型。垂直电场型需要在阵列基板上形成像素电极，在彩膜基板上形成公共电极，如常用的TN模式；而水平电场型则需要在阵列基板上同时形成像素电极和公共电极，如ADS模式（高级超维场转换模式）。ADSDS（简称ADS）是京东方自主创新的以宽视角技术为代表的核心技术统称。ADS是指平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch），其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。

如图1所示为现阶段常用的ADS底栅型阵列基板的器件结构图，包括：薄膜晶体管（栅极1、源极4-1、漏极4-2）、第一透明电极层2（公共电极）、半导体层6、掺杂半导体层5、第一钝化绝缘层7以及在漏极4-2上设有过孔A用于连接像素电极8。对于ADS型阵列基板的制作，使用较多的5次光刻（Mask）工艺。采用5次光刻（Mask）工艺制备阵列基板，工艺复杂，开发费用较高。

另外，对于液晶面板，为防止漏光，通常在彩膜基板上制作黑矩阵，同时，由于彩膜基板和阵列基板需要经过对位形成液晶面板，而在对位过程中，为防止由于对位不准确而造成不能完全遮盖漏光的现象，通常通过增加黑矩阵的宽度来解决此问题，但这样会降低液晶面板的开口率。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题包括，针对现有的阵列基板开口率低且容易因对位偏差导致漏光的问题，提供开口率高且不易产生漏光的阵列基板及显示装置。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种阵列基板，包括：薄膜晶体管区和显示区，所述薄膜晶体管区包括薄膜晶体管和第一透明导电层，所述显示区包括第一透明电极，所述薄膜晶体管区第一透明导电层与所述显示区第一透明电极同层设置且两者互不连接，所述薄膜晶体管设置在所述薄膜晶体管区透明导电层上方。

本实用新型的阵列基板的第一透明电极与第一透明电极层一次形成，故其工艺简单，可以降低成本。

优选的是，所述薄膜晶体管区还包括黑矩阵，所述黑矩阵设置在第一透明导电层和薄膜晶体管之间。

进一步优选的是，还包括：第一钝化绝缘层，且

所述第一钝化绝缘层设于薄膜晶体管区第一透明导电层和显示区第一透明电极层上。

优选的是，所述薄膜晶体管为顶栅型薄膜晶体管。

进一步优选的是，上述顶栅型阵列基板还包括：栅极绝缘层、第二钝化绝缘层以及像素电极层，

所述栅极绝缘层设于薄膜晶体管栅极下方；

所述薄膜晶体管栅极上方设有第二钝化绝缘层，且薄膜晶体管漏极上方的栅极绝缘层和第二钝化绝缘层中设有过孔；

所述像素电极设于第二钝化绝缘层上，且通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极连接。

解决本实用新型技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，包括上述阵列基板。

本实用新型的显示装置设有上述阵列基板，故其不会产生现有技术中黑矩阵制作在彩膜基板上，导致在彩膜基板与阵列基板对盒时不可避免的会出现对位偏差，为避免因对位偏差导致的漏光，此时黑矩阵必须做的更宽，这样就会造成开口率进一步下降。而本实用新型的显示装置，把黑矩阵做在阵列基板上，就可以不用考虑因对盒造成的开口率的影响，黑矩阵可以做的更窄小，也就提高了开口率。

附图说明

图1为现有的ADS底栅型阵列基板的示意图；

图2为本实用新型的实施例1的ADS顶栅型阵列基板的示意图图；

图3为本实用新型的实施例1的ADS顶栅型阵列基板第一次光刻过程的示意图；

图4为本实用新型的实施例1的ADS顶栅型阵列基板第一次光刻过程的流程图；以及，

图5为本实用新型的实施例1中通过4次光刻形成ADS顶栅型阵列基板过程的示意图。