[实用新型]一种新型高频头有效
申请号: | 201320228253.5 | 申请日: | 2013-04-28 |
公开(公告)号: | CN203279018U | 公开(公告)日: | 2013-11-06 |
发明(设计)人: | 郭军 | 申请(专利权)人: | 深圳市高巨电子有限公司 |
主分类号: | H04N5/50 | 分类号: | H04N5/50 |
代理公司: | 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 | 代理人: | 黄培智 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 高频头 | ||
1.一种新型高频头,其特征在于:包括馈源、内置电路板的电路板盒、设置在电路板盒上的接头,以及连接在所述馈源和所述电路板盒之间用于传递信号的导波管;所述电路板上设有控制模块和分别与其连接的高频放大模块、中频输出模块和稳压模块,所述电路板上还设有晶振锁相模块,其与所述控制模块连接;
所述控制模块接收来自于所述高频放大模块的信号并将之处理后生成输出信号,然后比较所述输出信号与参考输入信号之间的频率和相位差别并通过所述控制晶振锁相模块产生相匹配的本振频率对所述输出信号进行调整,直至所述输出信号的频率和相位与所述参考输入信号同步并保持一致后,再将所述输出信号传输至所述中频输出模块;
其中,所述高频放大模块包括第一场效应晶体管(Q1)、第二场效应晶体管(Q2)和第三场效应晶体管(Q3),所述第一场效应晶体管(Q1)的栅极G1通过所述导波管接一路射频信号,所述第一场效应晶体管(Q1)的源极S1串电容C1后接第三场效应晶体管(Q3)的栅极G3,所述第一场效应晶体管(Q1)的漏极D1接地;所述第二场效应晶体管(Q2)的栅极G2通过所述导波管接另一路射频信号,所述第二场效应晶体管(Q2)的源极S2串电容C2后接第三场效应晶体管(Q3)的栅极G3,所述第二场效应晶体管(Q2)的漏极D2接地;所述第三场效应晶体管(Q3)的源极S3和所述控制模块的信号输入引脚连接, 其漏极D3接地。
2.根据权利要求1所述的新型高频头,其特征在于,所述晶振锁相模块包括一晶振,所述晶振的一端与所述控制模块的一个晶振引脚连接,所述晶振的另一端与所述控制模块的另一个晶振引脚连接。
3.根据权利要求1所述的新型高频头,其特征在于,所述中频输出模块包括电容C3,该电容C3的一端与所述控制模块的信号输出引脚连接,另一端和所述接头连接。
4.根据权利要求1所述的新型高频头,其特征在于,所述电路板上还设有滤波模块,所述滤波模块连接在所述高频放大模块和所述控制模块之间。
5.根据权利要求1所述的新型高频头,其特征在于,所述稳压模块包括三端稳压管,所述三端稳压管的第一端接电源,其第二端接所述控制模块,其第三端接地。
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