[实用新型]氧传感器芯片有效

专利信息
申请号: 201320282086.2 申请日: 2013-05-22
公开(公告)号: CN203337629U 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 仇国霞 申请(专利权)人: 常州联德电子有限公司
主分类号: G01N33/00 分类号: G01N33/00
代理公司: 常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233 代理人: 沈兵
地址: 213000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 传感器 芯片
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种传感器的技术领域,尤其是一种氧传感器芯片。

背景技术

现有的氧传感器芯片加工制造比较麻烦,生产制造成本比较高,精度比较低,工作时稳定性差,降低了芯片的灵敏度,延长了传感器的使用寿命,大大提高了传感器工作的可靠性。

实用新型内容

为了克服现有的氧传感器芯片加工制造麻烦、精度低、灵敏度低以及传感器工作可靠性低的不足,本实用新型提供了一种氧传感器芯片。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种氧传感器芯片,包括硅基衬底、绝缘膜一、绝缘膜二、多晶硅膜和敏感槽,硅基衬底表面设有绝缘膜一,底部设有绝缘膜二,绝缘膜一上覆有一层多晶硅膜,多晶硅膜上设有敏感槽。

本实用新型的有益效果是,这种氧传感器芯片结构简单、紧凑并且合理,装配方便快捷,连接可靠,便于加工制造,生产制造成本低,精度高,稳定性好,提高了芯片的灵敏度,延长了传感器的使用寿命,大大提高了传感器工作的可靠性,易于使用推广。

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型的结构示意图。

图中1.硅基衬底,2.绝缘膜一,3.绝缘膜二,4.多晶硅膜,5.敏感槽。

具体实施方式

如图1是本实用新型的结构示意图,一种氧传感器芯片,包括硅基衬底1、绝缘膜一2、绝缘膜二3、多晶硅膜4和敏感槽5,硅基衬底1表面设有绝缘膜一2,底部设有绝缘膜二3,绝缘膜一2上覆有一层多晶硅膜4,多晶硅膜4上设有敏感槽5。

使用时,硅基衬底1正反两面分别覆有绝缘膜一2和绝缘膜二3,绝缘膜一2上覆有一层多晶硅膜4,多晶硅膜4上开有敏感槽5。这种氧传感器芯片结构简单、紧凑并且合理,装配方便快捷,连接可靠,便于加工制造,生产制造成本低,精度高,稳定性好,提高了芯片的灵敏度,延长了传感器的使用寿命,大大提高了传感器工作的可靠性,易于使用推广。

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