[实用新型]氧传感器芯片有效
申请号: | 201320282086.2 | 申请日: | 2013-05-22 |
公开(公告)号: | CN203337629U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 仇国霞 | 申请(专利权)人: | 常州联德电子有限公司 |
主分类号: | G01N33/00 | 分类号: | G01N33/00 |
代理公司: | 常州市夏成专利事务所(普通合伙) 32233 | 代理人: | 沈兵 |
地址: | 213000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 芯片 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种传感器的技术领域,尤其是一种氧传感器芯片。
背景技术
现有的氧传感器芯片加工制造比较麻烦,生产制造成本比较高,精度比较低,工作时稳定性差,降低了芯片的灵敏度,延长了传感器的使用寿命,大大提高了传感器工作的可靠性。
实用新型内容
为了克服现有的氧传感器芯片加工制造麻烦、精度低、灵敏度低以及传感器工作可靠性低的不足,本实用新型提供了一种氧传感器芯片。
本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是:一种氧传感器芯片,包括硅基衬底、绝缘膜一、绝缘膜二、多晶硅膜和敏感槽,硅基衬底表面设有绝缘膜一,底部设有绝缘膜二,绝缘膜一上覆有一层多晶硅膜,多晶硅膜上设有敏感槽。
本实用新型的有益效果是,这种氧传感器芯片结构简单、紧凑并且合理,装配方便快捷,连接可靠,便于加工制造,生产制造成本低,精度高,稳定性好,提高了芯片的灵敏度,延长了传感器的使用寿命,大大提高了传感器工作的可靠性,易于使用推广。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的结构示意图。
图中1.硅基衬底,2.绝缘膜一,3.绝缘膜二,4.多晶硅膜,5.敏感槽。
具体实施方式
如图1是本实用新型的结构示意图,一种氧传感器芯片,包括硅基衬底1、绝缘膜一2、绝缘膜二3、多晶硅膜4和敏感槽5,硅基衬底1表面设有绝缘膜一2,底部设有绝缘膜二3,绝缘膜一2上覆有一层多晶硅膜4,多晶硅膜4上设有敏感槽5。
使用时,硅基衬底1正反两面分别覆有绝缘膜一2和绝缘膜二3,绝缘膜一2上覆有一层多晶硅膜4,多晶硅膜4上开有敏感槽5。这种氧传感器芯片结构简单、紧凑并且合理,装配方便快捷,连接可靠,便于加工制造,生产制造成本低,精度高,稳定性好,提高了芯片的灵敏度,延长了传感器的使用寿命,大大提高了传感器工作的可靠性,易于使用推广。
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