[实用新型]一种薄膜型LED器件有效
申请号: | 201320401860.7 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN203339218U | 公开(公告)日: | 2013-12-11 |
发明(设计)人: | 汤勇;余彬海;李宗涛;丁鑫锐;陆龙生;袁伟;万珍平 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/62 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍 |
地址: | 511458 广东省广州市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 led 器件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种LED器件,具体涉及一种薄膜型LED器件。
背景技术
LED光源以其高光效,节能,环保,寿命长,响应时间短等诸多优点成为第四代光源,已逐渐开始取代传统光源,在市场显示出广阔的潜力。尤其是LED光源,在照明领域使用量非常巨大。在新兴应用市场不断出现的带动下,近些年LED市场规模快速提升。市场对于LED的需求急剧上升,尤其是对体积小,发光面积大,薄型的器件更为青睐。在照明产品中,许多LED器件由于必须采用二次透镜已达到配光要求,器件面临着装配误差造成的透镜压迫器件,造成器件失效等情况,再如平板电视背光源方面,采用LED器件的背光源比传统冷阴极射线管省电48%左右,其色彩还原范围可以达到美国国家电视系统委员会(NTSC)标准的105%甚至120%以上,具有极大的推广应用价值。目前LED电视超薄化已成为主流趋势,因此对于超薄型的LED器件需求十分迫切,同时,无论是采用直下式背光源还是侧入式背光源,器件也同样存在着被导光面板压断金线的可能。
除此之外,功率型的LED器件一次塑封透镜通常需要昂贵的模具,产品定型后的改进及升级换代代价极高,与此同时,塑封工艺需要极为复杂精密的专用设备。单片LED封装基板集成器件数量受限于模具及专用夹具的尺寸等参数,面对越来越庞大的市场需求,这种受限于模具、夹具及设备的制造方法将越来越背离实际需求,为进一步提高生产效率,新的器件结构及制造方法亟待提出。
面对以上问题,新型的超薄型器件已经成为一种趋势,同时,免金线封装结构可靠性更高,也将成为未来LED器件的发展方向。本实用新型就是针对以上技术缺陷及LED照明市场发展趋势,提出了一种薄膜型LED器件及其制造方法,该器件超薄,厚度范围可在0.25-0.6mm之间,同时采用免金线倒装结构封装,可靠性高,发光角度大,外表面塑封材料采用自称形工艺,无需使用模具及复杂的注塑,热压的功能设备,其制造方法简单高效,非常适用于产业化以及面向背光源、照明等领域的推广,具有极为广阔的市场空间。
实用新型内容
针对上述技术问题,本实用新型旨在至少在一定程度上解决上述技术问题。
本实用新型的目的是提供一种薄膜型LED器件。
为达到上述目的,本实用新型的第一方面实施例提供一种薄膜型LED器件,包括薄片型线路支架,免金线倒装结构的LED芯片及一层透光保护膜,所述LED芯片的正、负极采用共晶焊方式键合于薄片型线路支架的上表面线路层上,薄片型线路支架的下表面线路层通过线路连接上表面线路层后分别与LED芯片的正、负极电路连接,所述透光保护膜紧密覆盖于LED芯片顶部与四周以及薄片型线路支架的上表面线路层上。
进一步地,所述薄片型线路支架为具有线路层的双层印刷线路板,其上表面线路层及下表面线路层均设置有使线路层隔断为正极与负极的绝缘槽,其中,上表面线路层的正极与LED芯片正极相连接,负极与LED芯片负极相连接,上表面线路层及下表面线路层的正极与正极,负极与负极之间相互连通;
进一步地,所述上表面线路层的表面蚀刻或冲切有十字形LED芯片安放标志。
进一步地,所述下表面线路层还设置有用于增强固定和导热的辅助焊盘。
进一步地,所述薄片型线路支架厚度小于等于0.2mm,上表面线路层及下表面线路层的厚度均小于等于0.1mm。
进一步地,所述透光保护膜为高分子有机薄膜片,厚度小于等于0.1mm。
进一步地,所述透光保护膜内部填充有散射粉或黄色荧光粉颗粒,可实现单色光或混合色光。
与传统封装结构相比,本实用新型提出的薄膜型LED器件更薄,发光角度更大,而且没有传统封装工艺中的金线,器件可靠性大大增加,此外,相比传统封装工艺,塑封透镜模具及设备价格昂贵,造成产品成本增加,利用本实用新型提出的技术方法可以大大减少设备投入,降低产品成本,另外,本实用新型所提的薄膜型LED器件电极位于器件底部,属于表面贴装型器件结构,适用于回流焊接及自动化测试编带工艺,更适用于LED产业链下游自动化贴片安装与组装。
附图说明
图1为薄膜型LED器件结构剖视图。
图2为薄膜型LED器件结构俯视图。
图3为包含多个薄膜型LED器件基板俯视图。
图4为真空室除气步骤示意图。
图5为除气完毕后模具下压密封剖视示意图。
图6为取出真空室后LED基板剖视示意图。
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