[实用新型]电路有效
申请号: | 201320491538.8 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN203444383U | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | P·比安弗尼 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(鲁塞)公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电路 | ||
1.一种电路,其特征在于,包括:
电流源,被配置为与负载在第一直流电压的应用的两个端子之间串联连接;
被耦合以限制跨所述负载的电压的元件;以及
控制电路,被配置为利用在所述元件中流动的电流来控制所述电流源中的电流的值。
2.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述元件包括连接至在所述负载与所述电流源之间的接合点的齐纳二极管。
3.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电路包括第一MOS晶体管,所述第一MOS晶体管被装配为二极管和在第二MOS晶体管上的电流镜,所述第二晶体管与第三晶体管在所述第一直流电压的应用的所述端子之间串联,并且所述第三晶体管被装配为二极管和在连接至所述电流源的控制端子的第四晶体管上的电流镜。
4.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述元件包括连接至在所述负载与所述电流源之间的接合点的齐纳二极管。
5.根据权利要求4所述的电路,其特征在于,所述齐纳二极管与所述第一晶体管串联。
6.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述元件在所述负载内部并且控制所述第一晶体管。
7.根据权利要求3所述的电路,其特征在于,所述第四晶体管与电阻元件在第二直流电压的应用的两个端子之间串联。
8.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电流源由MOS晶体管形成。
9.根据权利要求1所述的电路,其特征在于,所述负载包括电荷泵电路。
10.一种电路,其特征在于,包括:
第一参考电压端子;
第二参考电压端子;
负载,被耦合在所述第一参考电压端子与所述第二参考电压端子之间;以及
可变电流源,与所述负载在所述第一参考电压端子和所述第二参考电压端子之间串联耦合,所述可变电流源被配置为提供具有根据由所述负载消耗的功率的幅度的电流。
11.根据权利要求10所述的电路,其特征在于,所述第一参考电压端子包括电池端子,并且所述第二参考电压端子包括接地端子。
12.根据权利要求10所述的电路,其特征在于,还包括被耦合至所述负载以便限制跨所述负载的电压的元件。
13.根据权利要求12所述的电路,其特征在于,所述元件包括连接至在所述负载与所述电流源之间的接合点的齐纳二极管。
14.根据权利要求12所述的电路,其特征在于,所述元件在所述负载内部。
15.根据权利要求10所述的电路,其特征在于,所述可变电流源包括:
晶体管,其电流路径与所述负载在所述第一参考电压端子和所述第二参考电压端子之间串联耦合;以及
控制电路,其控制输出被耦合至所述晶体管的控制端子。
16.根据权利要求15所述的电路,其特征在于,所述控制电路包括第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管和第四MOS晶体管,所述第一MOS晶体管被连接为二极管和在所述第二MOS晶体管上的电流镜,所述第二晶体管与所述第三晶体管在所述第一参考电压端子和所述第二参考电压端子之间串联,并且所述第三晶体管被连接为二极管和在所述第四晶体管上的电流镜,所述第四晶体管被耦合至所述晶体管的所述控制端子。
17.根据权利要求16所述的电路,其特征在于,还包括被耦合在所述第一MOS晶体管与所述负载和所述电流源之间的接合点之间的电压限制元件。
18.根据权利要求17所述的电路,其特征在于,所述电压限制元件包括齐纳二极管。
19.根据权利要求16所述的电路,其特征在于,还包括被耦合在所述第四晶体管与直流电压端子之间的电阻元件。
20.根据权利要求19所述的电路,其特征在于,所述第一参考电压端子和所述直流电压端子相对于所述第二参考电压端子承载不同电压。
21.根据权利要求10所述的电路,其特征在于,所述电流源由MOS晶体管形成。
22.根据权利要求10所述的电路,其特征在于,所述负载包括电荷泵电路。
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