[发明专利]修复和/或保护反应器中表面的方法

权利要求书

1.一种在反应器的组件的表面上形成异质保护层的方法，其中所述异质保护层包含硅，所述方法包括以下步骤：

提供一种用于形成所述异质保护层的聚合物组合物；

提供所述组件，其中所述组件的表面包含石墨、碳纤维强化碳(CFRC)或它们的组合；

在所述组件的所述表面上施加所述聚合物组合物以形成固化前涂层；并且

加热所述固化前涂层以形成所述异质保护层；

其中在加热所述固化前涂层的过程中，所述组件的所述表面存在于所述反应器内；其中所述固化前涂层通过将气体组合物送入所述反应器内而加热；

其中反应器环境的所述气体组合物：

i)包含三氯硅烷、四氯化硅或它们的组合；以及任选地

ii)还包含氢。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在施加所述聚合物组合物的过程中，所述组件的所述表面也存在于所述反应器内。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述聚合物组合物包含聚碳硅烷和/或聚硅氮烷。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

i)所述聚碳硅烷为烯丙基氢化聚碳硅烷；和/或

ii)所述异质保护层包含碳化硅。

5.根据权利要求3所述的方法，其中：

i)所述聚硅氮烷为全氢聚硅氮烷；和/或

ii)所述异质保护层包含氮化硅。

6.根据权利要求3所述的方法，其中所述聚合物组合物还包含用于进一步形成所述异质保护层的填料，并且其中所述填料：

i)包含碳化硅、氮化硅或它们的组合；和/或

ii)在所述聚合物组合物中，基于100重量份的所述聚合物组合物计，以1至80重量份的量存在。

7.根据权利要求4至5中任一项所述的方法，其中所述聚合物组合物还包含用于进一步形成所述异质保护层的填料，并且其中所述填料：

i)包含碳化硅、氮化硅或它们的组合；和/或

ii)在所述聚合物组合物中，基于100重量份的所述聚合物组合物计，以1至80重量份的量存在。

8.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中：

i)在第一温度(T1)下将所述聚合物组合物施加至所述组件的所述表面并且将所述固化前涂层加热至大于第一温度(T1)的第二温度(T2)；以及任选地

ii)第二温度(T2)为100℃至1750℃。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

i)所述组件包含基底层和设置在所述基底层上方的预成形保护层，其中所述基底层包含碳并且所述预成形保护层包含硅；

ii)所述组件的所述表面的所述预成形保护层定义至少一个腔体，并且其中施加所述聚合物组合物，使得所述预成形保护层的所述至少一个腔体至少部分地用所述异质保护层填充；

iii)所述组件的所述表面的所述预成形保护层包含碳化硅、氮化硅或它们的组合；和/或

iv)所述组件的所述表面的所述基底层包含石墨、碳纤维强化碳(CFRC)或它们的组合。

10.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，还包括在加热所述固化前涂层之前在所述反应器中建立惰性环境的步骤。

11.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中通过喷涂、刷涂、刮涂、浇涂、辊涂、浸涂、抹涂、摩擦、擦涂或它们的组合将所述聚合物组合物施加至所述组件的所述表面，并且/或者其中所述反应器中的所述组件为交换器、分离器、加热器、腔室表面或它们的组合。

12.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中将第一聚合物组合物施加至所述组件的所述表面以形成第一固化前层并且将不同于所述第一聚合物组合物的第二聚合物组合物施加至所述第一固化前层以形成第二固化前层，并且其中所述第一和第二固化前层中的两者均加热以形成所述异质保护层，或者其中所述异质保护层的平均厚度为大于0.1密耳。

13.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中将第一聚合物组合物施加至所述组件的所述表面以形成第一固化前层并且将不同于所述第一聚合物组合物的第二聚合物组合物施加至所述第一固化前层以形成第二固化前层，并且其中所述第一和第二固化前层中的两者均加热以形成所述异质保护层，或者其中所述异质保护层的平均厚度为0.1至10密耳。

14.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中所述反应器用于制备：

i)多晶硅，其中所述多晶硅包含三氯硅烷和氢气的反应产物；或者

ii)三氯硅烷，其中所述三氯硅烷包含四氯化硅和氢气的反应产物。