[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带

权利要求书

1.一种半导体晶片表面保护用胶带，其是在基材膜上具有粘合剂层的半导体晶片表面保护用胶带，其特征在于，

所述基材膜的总厚度为50μm～200μm，其是由高弹性模量层与低弹性模量层构成的复合基材膜，该高弹性模量层与该低弹性模量层的厚度的比例、即高弹性模量层厚度：低弹性模量层厚度为1：9～5：5的范围，

所述高弹性模量层配置在所述粘合剂层背面、即配置在基材膜的与涂布粘合剂层的面相反的面，且为由聚丙烯或直链状聚乙烯构成的厚度10μm以上的层，

所述低弹性模量层由乙酸乙烯酯含有率为5质量％～20质量％、且MFR为0.8g/10min～10g/10min的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物构成，

所述半导体晶片表面保护用胶带的所述粘合剂层厚度为10μm～50μm，在50℃加热剥离时相对于SUS280研磨面的粘合力或500mJ的紫外线照射后的粘合力中的任一者为1.0N/25mm以下、且为未加热时或未照射紫外线时的粘合力的50％以下。

2.如权利要求1所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述高弹性模量层的树脂是密度为0.910g/cm³～0.970g/cm³、且MFR为10g/10min以下的直链状聚乙烯。

3.如权利要求1或2所述的半导体晶片表面保护用胶带，其是在不使用粘接剂以外的其它材料的情况下对所述基材膜的所述高弹性模量层与所述低弹性模量层进行层积而成的。

4.如权利要求1～3任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述粘合剂层为压敏型粘合剂，在包含蚀刻工序的半导体加工工艺中使用。

5.如权利要求1～4任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述基材膜的聚丙烯或直链状聚乙烯经双向拉伸处理而成。

6.如权利要求1～5任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其胶粘力为60kPa～200kPa。

7.如权利要求1～6任一项所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述粘合剂层为乳液系粘合剂。

8.如权利要求7所述的半导体晶片表面保护用胶带，其中，所述乳液系粘合剂层中不含水分散性异氰酸酯交联剂。