[发明专利]半导体晶片表面保护用胶带

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体晶片表面保护用胶带。更详细而言，涉及一种将半导体晶片磨削成薄膜时所使用的表面保护用胶带。

背景技术

半导体封装件通过下述方法制造得到：在将高纯度硅单晶等切片而制成半导体晶片后，通过离子注入、蚀刻等在该晶片表面形成集成电路，由此制造半导体封装件。通过对形成有集成电路的半导体晶片的背面进行磨削、研磨等，而使半导体晶片成为所需厚度。此时，为了保护形成在半导体晶片表面的集成电路，使用半导体晶片表面保护用胶带。经背面磨削的半导体晶片在背面磨削结束后收纳在半导体晶片盒中，搬运至切割工序，加工成半导体芯片。

以往，通过背面磨削而使半导体晶片的厚度变薄至200μm～400μm左右。尤其是存储系装置持续发展薄膜化且大口径化，多数情况下将12英寸的半导体晶片磨削至100μm以下或50μm以下。因此，为了实现大口径的薄膜化晶片的输送，也不断推进各种装置的开发，且大量导入被称为线内系统(in-line system)的薄膜磨削专用机或专用的制造方法(参照专利文献1)。

另一方面，分立系晶片或功率系晶片几乎不会如存储系装置那样层积，因此与存储系晶片相比，薄膜化发展并不多。然而，近年来云端计算或电力的统一管理等要求不断增加，为了控制大容量的电流，功率装置或分离装置的薄膜化不断加速。分离系装置形成为使电流自表面电极向背面电极流动的结构，半导体晶片的厚度越薄则电阻越低，因此形成高性能的装置。随着要求性能的提高，磨削至100μm以下的必要性不断增加，对分立系晶片进行薄膜磨削的要求不断增加。

分立系装置的芯片尺寸较小，因此并未发展大口径化，5英寸～6英寸的半导体晶片为主流。上述的线内装置为对应于8英寸以上的专用机，因此分立系晶片大多利用旧型装置进行磨削，另外，对磨削后的背面进行蚀刻的工序是必需的，因此在进行磨削后并不直接贴在切晶带或切晶粘晶带，因此实质上并未使用线内装置，与存储系装置相比对翘曲的要求变高。

针对这些问题，作为薄膜磨削用表面保护带存在各种开发品，大量揭示有使用刚性基材即聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)系基材的开发品等(参照专利文献2、3)，但若实施至蚀刻工序，则基材会溶解或变色等，无法直接使用。另外，存储系晶片中阶差小的半导体晶片多，但分立系晶片的阶差较大，或因芯片尺寸小因此阶差的数量极多，因此产生会让蚀刻液渗入而破坏装置的问题。

进一步，作为上述薄膜磨削用表面保护带的改良，正尝试通过增加粘合剂厚度来抵挡蚀刻液的渗入等，但粘合剂部分与酸接触的机会增多而产生粘合剂成分溶出至酸中等问题。因此，对分立系晶片进行薄膜磨削并不容易。另外，增加粘合层的厚度会导致凝聚破坏的风险上升，因此粘合剂残留的风险也上升，而有可能也产生发生粘合剂残留问题这样的不良情况，尚小于成令人满意的解决对策。另外，揭示有制造方法的改善(参照专利文献4)等，但若在蚀刻前进行紫外线照射，则粘合力降低，根据半导体晶片的种类不同而产生带剥离等问题，小于成令人满意的解决对策。进一步，也揭示有利用蚀刻方法的改善(参照专利文献5)，但在使用单层聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)基材膜的方法中，对于含硫酸的蚀刻液的耐酸性弱，基材膜发生腐蚀等，另一方面，在使用单层聚丙烯(PP)基材膜的方法中，也有发生由经薄膜化的半导体晶片的磨削性恶化所致的半导体晶片破裂及边缘碎裂，有时也会产生剥离不良或粘合剂残留，无论何种方法均小于成令人满意的解决对策。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-351790号公报

专利文献2：日本特开2011-151355号公报

专利文献3：日本特开2003-261842号公报

专利文献4：日本特开平5-195255号公报

专利文献5：日本特开平4-251931号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的课题在于提供一种半导体晶片表面保护用胶带，其是在分立系晶片或功率装置系晶片等以蚀刻工序为必需工序的半导体制造工序中使用的表面保护带，即使在贴合有该表面保护带的状态下对该半导体晶片背面进行磨削，也不会渗入灰尘或水而可制成100μm以下的薄膜晶片，进一步也可在贴合有表面保护带的状态下使用于蚀刻工序。

用于解决问题的手段