[发明专利]具有等离子体限制间隙的处理配件

权利要求书

1.一种处理配件，包括：

挡板，所述挡板具有u形下部和配置成围绕第一容积的一个或更多个侧壁，所述第一容积设置在工艺腔室的内容积内；以及

第一环，所述第一环可移动地介于第一位置与第二位置之间，在所述第一位置，所述第一环置于所述挡板的所述u形下部的上部上，而在所述第二位置，在所述第一环的外表面与所述一个或更多个侧壁的内表面之间形成间隙，其中对于在40MHz或更高的频率下和140毫托或更低的压力下形成的等离子体而言，所述间隙的宽度小于两倍等离子体壳层的宽度。

2.如权利要求1所述的处理配件，其中用来形成所述等离子体的压力范围从60毫托至140毫托。

3.如权利要求1所述的处理配件，其中所述间隙的宽度小于6毫米。

4.如权利要求1所述的处理配件，其中所述间隙的长度对宽度的比例为4:1。

5.如权利要求1至4任一项所述的处理配件，其中所述挡板进一步包括：

沟槽，所述沟槽设置在所述挡板底部并位于所述一个或更多个侧壁的内表面周围。

6.如权利要求5所述的处理配件，其中所述第一环进一步包括：

第一突出部，所述第一突出部朝所述沟槽的底表面延伸，其中所述第一突出部设置在所述挡板的所述沟槽中以形成所述间隙。

7.如权利要求6所述的处理配件，其中所述第一环进一步包括：

第二突出部，所述第二突出部从所述第一环的下表面延伸出，其中所述第二突出部被配置成与基板支撑件界面连接，以在所述第一环位于所述第二位置时，相对于所述挡板校准所述第一环。

8.如权利要求6所述的处理配件，进一步包括：

第二间隙，当所述第一环位于所述第二位置时，所述第二间隙形成于所述第一突出部的内表面与所述沟槽的内表面之间，其中对于在40MHz或更高的频率或是范围从60毫托至140毫托的压力的至少之一下形成的等离子体而言，所述间隙的宽度小于两倍等离子体壳层的宽度。

9.如权利要求8所述的处理配件，其中所述第二间隙的长度对宽度的比例为4:1。

10.如权利要求6所述的处理配件，进一步包括：

第三间隙，当所述第一环位于所述第二位置时，所述第三间隙形成于所述第一突出部的底表面与所述沟槽的底表面之间，其中对于在40MHz或更高的频率或是范围从60毫托至140毫托的压力的至少之一下形成的等离子体而言，所述间隙的宽度小于两倍等离子体壳层的宽度。

11.一种基板处理系统，包括：

工艺腔室，所述工艺腔室具有内容积；

挡板，所述挡板设置在所述内容积中并具有u形下部和配置成围绕所述内容积内的第一容积的一个或更多个侧壁；

基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内容积中；以及

第一环，所述第一环可移动地介于第一位置与第二位置之间，在所述第一位置，所述第一环置于所述挡板的所述u形下部的上部上，而在所述第二位置，所述第一环置于所述基板支撑件的顶上并且在所述第一环的外表面与所述一个或更多个侧壁的内表面之间形成间隙，其中对于在40MHz或更高的频率下和140毫托或更低的压力下形成的等离子体而言，所述间隙的宽度小于两倍等离子体壳层的宽度。

12.如权利要求11所述的基板处理系统，其中所述挡板进一步包括：

沟槽，所述沟槽设置在所述挡板底部并位于所述一个或更多个侧壁的内表面周围。

13.如权利要求12所述的基板处理系统，其中所述第一环进一步包括：

第一突出部，所述第一突出部朝所述沟槽的底表面延伸，其中所述第一突出部设置在所述挡板的所述沟槽中，以在所述第一环位于所述第二位置时形成所述间隙。

14.如权利要求13所述的基板处理系统，其中所述第一环进一步包括：

第二突出部，所述第二突出部从所述第一环的下表面延伸出，其中所述第二突出部被配置成与所述基板支撑件界面连接，以在所述第一环位于所述第二位置时，相对于所述挡板校准所述第一环。

15.如权利要求13所述的基板处理系统，进一步包括：

第二间隙，当所述第一环位于所述第二位置时，所述第二间隙形成于所述第一突出部的内表面与所述沟槽的内表面之间，其中对于在40MHz或更高的频率或是范围从60毫托至140毫托的压力的至少之一下形成的等离子体而言，所述间隙的宽度小于两倍等离子体壳层的宽度。